WLR測試中所面臨的新挑戰(zhàn)

• 　　就像摩爾定律驅(qū)動半導體幾何尺寸的縮小一樣，有關(guān)解決半導體可靠性問題的活動也遵循一個似乎有點可以預(yù)測的周期。例如，技術(shù)演進到VLSI時，為了保持導線的電路速度，引入了鋁線連接。此時，很快就發(fā)現(xiàn)了電子遷移這類的可靠性問題。一旦發(fā)現(xiàn)了問題所在，就會通過實驗來對退化機制進行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術(shù)的可靠性指標達到最佳。隨著技術(shù)的進一步成熟，焦點轉(zhuǎn)移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應(yīng)力硅、銅和低K介電材料等，又開始一輪新周期。 　　隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
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