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        TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展

        • 【2023 年 7 月 3 日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車(chē)規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能,并顯著降低了車(chē)載充電(OBC)和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。  相比第一代產(chǎn)品,1200 V CoolSiC系列的開(kāi)關(guān)損耗降低了25%,具有同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)性能。這種開(kāi)關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行,縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓(VGS(th)
        • 關(guān)鍵字: TO263-7  1200V  溝槽式MOSFET  電動(dòng)出行  

        高密度封裝的功率級(jí)、穩(wěn)壓器和電感器

        •   伍爾特電子推出的 MagI3C VDRM 是 MagI3C 電源模塊產(chǎn)品系列中的一款全新直流/直流電壓轉(zhuǎn)換器,采用 TO263-7EP 封裝。轉(zhuǎn)換器的輸入電壓范圍為 6 至 42 V,可從 9 V、12 V 或 24 V 工業(yè)總線進(jìn)行轉(zhuǎn)換?! ≡摦a(chǎn)品系列為 1 A 和 3 A 電流擴(kuò)展了兩個(gè)全新模塊,且輸出電壓可調(diào),范圍在 0.8 至 6 V 之間。這些模塊堅(jiān)固耐用,可在最高 105°C 的環(huán)境溫度下運(yùn)行。其最高可達(dá) 97% 的高效率。TO263-7EP 封裝易于焊接,尺寸為 10.16 × 13.7
        • 關(guān)鍵字: 伍爾特  TO263-7EP  
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        to263-7ep介紹

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