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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
- 關鍵字： SiC MOSFET RSP
3G系統(tǒng)中AGC的FPGA設計實現(xiàn)
- 1 引 言 大多數(shù)接收機必須處理動態(tài)范圍很大的信號，這需要進行增益調(diào)整，以防止過載或某級產(chǎn)生互調(diào)，調(diào)整解調(diào)器的工作以優(yōu)化工作。在現(xiàn)代無線電接收裝置中。可變增益放大器是電控的，并且當接收機中使用衰減器時，他們通常都是由可變電壓控制的連續(xù)衰減器。控制應該是平滑的并且與輸入的信號能量通常成對數(shù)關系(線性分貝)。在大多數(shù)情況下，由于衰落，AGC通常用來測量輸入解調(diào)器的信號電平，并且通過反饋控制電路把信號電平控制在要求的范同內(nèi)。 2 系統(tǒng)總體設計 在本設計中，前端TD_SCDM
- 關鍵字： TD_SCDMA AGC FPGA RSP IIR
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