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利用PowerTrench MOSFET應對更高功率密度的新挑戰(zhàn)
- 引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務、學術(shù)...
- 關(guān)鍵字： PowerTrench MOSFET
Fairchild升壓開關(guān)為高頻步進DC-DC設計實現(xiàn)高效率
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench® MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設計的效率。FDFME3N311ZT 采用飛兆半導體專有的PowerTrench工藝技術(shù)，通過仔細優(yōu)化動態(tài)性能來降低開關(guān)損耗。其肖特基二極管的反向泄漏電流隨
- 關(guān)鍵字： Fairchild 開關(guān) FDFME3N311ZT PowerTrench
Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術(shù)，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗，F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
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