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SEMICON China | 探討熱點與前沿技術，功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業(yè)鏈領先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨，怎么能
關鍵字：碳化硅氮化鎵 InP

2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設計

對In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測器進行了特性分析。以大陣列研究為基礎，結合器件特性設計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關雙采樣(CDS)電路單元構成，并對讀出電路的時序、積分電容等進行了設計。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲能力為5×107個，功耗小，噪聲低，設計達到預期要求。
關鍵字： InGaAs APD InP 低噪聲

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