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crolles2 文章進入crolles2技術社區(qū)

Crolles2聯(lián)盟開發(fā)的超高密度SRAM單元

采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應技術 Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會上宣布的論文，為未來的低成本、低功耗、高密度消費電路采用超小制程尺寸又添新選擇　　日本京都 (2005年 VLSI 研討會) ， 2005年6月15日 – Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關在正常制造條件下采用標準CMOS體效應技術和45納米設計規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。　　Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導體(NYSE: F
關鍵字： Crolles2 存儲器

Crolles2 聯(lián)盟合作研發(fā)先進的CMOS圓晶封裝檢測技術

　　Crolles2 聯(lián)盟成員飛思卡爾、飛利浦與意法半導體擴大了該聯(lián)盟的半導體合作研發(fā)活動范圍，合作項目除最初的100-nm以下的CMOS制造工藝外還包括了相關的晶片檢測與封裝的研發(fā)活動。　　飛利浦半導體公司高級副總裁兼技術總監(jiān)Ren
關鍵字： Crolles2 聯(lián)盟封裝

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