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TDDI市場爆發(fā)，80nm工藝成主流
- 8月30日消息，據(jù)VentureBeat報(bào)道，谷歌旗下人工智能(AI)部門和哈佛大學(xué)的研究人員已經(jīng)建立了新的AI模型，可以預(yù)測大地震一年后發(fā)生余震的位置。該模型使用近幾十年里經(jīng)歷的199次大地震以及隨后的13萬次余震數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練。研究發(fā)現(xiàn)，該模型比目前用于預(yù)測余震的方法更加準(zhǔn)確?！ ∮糜谟?xùn)練這個神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)集中包含的余震，多發(fā)生在距離震中50公里的垂直范圍和100公里的水平范圍內(nèi)。哈佛大學(xué)地球和行星科學(xué)系的菲比·德威利斯(Phoebe DeVries)稱：“我們發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過訓(xùn)練后改變應(yīng)力，這個神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
- 關(guān)鍵字： TDDI 80nm
北航與微電子所成功制備國內(nèi)首個80nm磁隨機(jī)存儲器芯片器件
- 近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機(jī)存儲器芯片(STT-MRAM)器件。 STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項(xiàng)技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對我國100%的壟斷。 微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過3年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工
- 關(guān)鍵字： 80nm 存儲器
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