600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
羅姆GaN器件帶來顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%
- 引言如今，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為了實(shí)現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達(dá)8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn)；2023 年3月，又確
- 關(guān)鍵字： 202310 羅姆 GaN
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運(yùn)營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應(yīng)晶體管芯片。
- 關(guān)鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運(yùn)營成本?！? ?可再生能
- 關(guān)鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導(dǎo)體
SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動損耗和更高的開關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進(jìn)入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
- 關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新
- 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應(yīng)用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況
- ST（ 意法半導(dǎo)體） 關(guān)注電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強(qiáng)型HEMT 開關(guān)管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關(guān)鍵字： 202310 意法半導(dǎo)體 SiC GaN
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導(dǎo)致裝置汰換時將造成許多浪費(fèi)。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過此接口傳輸數(shù)據(jù)，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
- 關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體 GAN 第三代半導(dǎo)體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
半導(dǎo)體功率器件的無鉛回流焊
- 半導(dǎo)體器件與 PCB 的焊接歷來使用錫/鉛焊料，但根據(jù)環(huán)境法規(guī)的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數(shù)適合這些應(yīng)用的無鉛焊料是具有較高熔點(diǎn)的錫/銀合金，相應(yīng)地具有較高的焊料回流溫度。無鉛焊料通常是錫/銀 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的變體。影響焊接工藝的主要區(qū)別是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔點(diǎn)。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔點(diǎn)比 Sn/Pb 共晶 (63Sn/37Pb) 高 37°C。Sn/Ag 焊料的標(biāo)稱共晶熔點(diǎn)為 220°C，Sn/Pb
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GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺
- 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
- 關(guān)鍵字： GaN Systems 氮化鎵
多元融合高彈性電網(wǎng)初落地，電源和功率器件迎行業(yè)風(fēng)口
- 每到盛夏，我國江浙沿海一帶就會出現(xiàn)電力緊張問題。因此，“高溫下保供電”便成為各地的主要方針。同時，隨著新能源汽車滲透率提升，電能供應(yīng)的挑戰(zhàn)會越來越大。為了能夠更好地解決供電難題，多元融合高彈性電網(wǎng)成為電力能源領(lǐng)域的熱門概念，并已經(jīng)得到了初步的落實(shí)。多元融合高彈性電網(wǎng)將分布式電源和儲能系統(tǒng)融入電網(wǎng)系統(tǒng)中，具有明顯的負(fù)載可調(diào)特性，有助于電力系統(tǒng)調(diào)度控制從傳統(tǒng)的“源隨荷動”向“源網(wǎng)荷儲友好互動”模式轉(zhuǎn)變。因此，在電網(wǎng)負(fù)荷不斷增大的情況下，多元融合高彈性電網(wǎng)具有重要的戰(zhàn)略意義。在多元融合高彈性電網(wǎng)構(gòu)建的過程中，兩
- 關(guān)鍵字： Mouser 功率器件
關(guān)注中國市場，Allegro發(fā)力磁傳感器和功率器件創(chuàng)新
- 在今年的慕尼黑電子展上，全球領(lǐng)先的磁傳感器和功率IC解決方案廠商Allegro MicroSystems（以下簡稱Allegro）以強(qiáng)大的團(tuán)隊和豐富而創(chuàng)新的解決方案迎接八方來客，充分展示了對中國市場的關(guān)注和承諾。 關(guān)注中國市場 在本次展會上，Allegro展出了面向清潔能源、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車和自動駕駛、工業(yè)4.0和機(jī)器人等熱門應(yīng)用的解決方案。Allegro MicroSystems全球銷售高級副總裁Max Glover表示，在磁傳感器和功率器件方面，Allegro擁有領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品組合。按照產(chǎn)品劃分
- 關(guān)鍵字： Allegro 磁傳感器 功率器件
從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
- 隨著新能源汽車和電動飛機(jī)概念的興起，在可預(yù)見的未來里，電能都將會是人類社會發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數(shù)字。比如在中國，根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會用電量統(tǒng)計（圖源：貿(mào)澤電子）各行業(yè)電氣化進(jìn)程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴(yán)峻的問題，那就是節(jié)能。當(dāng)前，任何一種用電設(shè)備在設(shè)計之初，都會將高能效和低能
- 關(guān)鍵字： Mouser 碳化硅 功率器件
日本新技術(shù)將GaN材料成本降90%
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導(dǎo)體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達(dá)與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率
- 關(guān)鍵字： 日本 GaN 材料 成本
自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化，預(yù)計將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
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