5nm soc 文章進(jìn)入5nm soc技術(shù)社區(qū)

5nm芯片即將量產(chǎn)：國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商確認(rèn)AMD產(chǎn)能或緩解

此前，AMD賣(mài)掉半導(dǎo)體封測(cè)廠(chǎng)，轉(zhuǎn)交給通富微電，后者負(fù)責(zé)AMD大量銳龍及Radeon顯卡芯片的封裝，日前該公司確認(rèn)AMD的芯片產(chǎn)能有望緩解，公司封裝的5nm產(chǎn)品也即將量產(chǎn)。根據(jù)該公司的年報(bào)，2021年全年，通富微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入158.12億元，同比增長(zhǎng)46.84%；歸母凈利潤(rùn)超過(guò)去6年之和，為9.54億元，同比增長(zhǎng)181.77%；凈資產(chǎn)收益率為9.51%，較2020年大幅提升4.55個(gè)百分點(diǎn)。通富微電副總經(jīng)理夏鑫表示，隨著臺(tái)積電持續(xù)加大先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)力度，2021年占公司收入44.5%的客戶(hù)AMD，所面臨的產(chǎn)
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臺(tái)積電將5nm產(chǎn)量提高到15萬(wàn)片/月

據(jù) wccftech 報(bào)道，半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電（TSMC）已經(jīng)增加了其 5nm 工藝技術(shù)系列的出貨量。這是臺(tái)積電產(chǎn)品組合中最先進(jìn)的技術(shù)，該工廠(chǎng)希望在今年晚些時(shí)候向 3nm 工藝邁進(jìn)。DigiTimes 聲稱(chēng)，增加產(chǎn)量是為了促進(jìn)來(lái)自個(gè)人計(jì)算行業(yè)的幾家公司的訂單，特別是在韓國(guó)芯片制造商三星代工廠(chǎng)目前面臨產(chǎn)量問(wèn)題的報(bào)道之后。三星和臺(tái)積電是世界上僅有的兩家向第三方提供芯片制造服務(wù)的公司，在這種雙頭壟斷的情況下，臺(tái)積電因其一貫可靠的交付和定期的技術(shù)升級(jí)而占據(jù)了強(qiáng)有力的領(lǐng)先地位。DigiTimes 的報(bào)告表示，臺(tái)積
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大把AI芯片公司，將活不過(guò)明后年春節(jié)

不到五年時(shí)間，AI芯片經(jīng)歷了概念炒作、泡沫破滅、修正預(yù)期和改進(jìn)問(wèn)題。有人擔(dān)憂(yōu)AI芯片的未來(lái)，也有人堅(jiān)定看好。多位AI芯片公司的CEO都告訴筆者，AI芯片一直在持續(xù)發(fā)展，落地的速度確實(shí)比他們預(yù)期的慢。
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5nm以下工藝良率低三星：將尋找中國(guó)客戶(hù)

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子新人聯(lián)合CEO Kyung Kye-hyun日前在股東大會(huì)上表態(tài)，稱(chēng)三星今年芯片及零件部門(mén)的增長(zhǎng)率有望優(yōu)于全球芯片市場(chǎng)的9%，三星會(huì)設(shè)法提高產(chǎn)能，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。針對(duì)5nm及以下工藝良率偏低的問(wèn)題，Kyung Kye-hyun表示芯片擴(kuò)產(chǎn)需要時(shí)間，但三星已經(jīng)在改善中，他強(qiáng)調(diào)半導(dǎo)體芯片工藝越來(lái)越精密，復(fù)雜度也提高了，5nm以下的芯片工藝正在逼近半導(dǎo)體物理極限。Kyung Kye-hyun稱(chēng)三星計(jì)劃將生產(chǎn)線(xiàn)運(yùn)營(yíng)最佳化，以改善盈利及供應(yīng)，并持續(xù)提升已經(jīng)量產(chǎn)的工藝。此外，Kyun
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臺(tái)積電3nm工廠(chǎng)支援生產(chǎn)：5nm訂單激增

日前，由于蘋(píng)果、AMD、聯(lián)發(fā)科等客戶(hù)5nm訂單積累太多，臺(tái)積電不得不先把3nm工廠(chǎng)臨時(shí)拉出來(lái)給5nm擴(kuò)產(chǎn)。今年有大量芯片會(huì)升級(jí)5nm工藝或者改進(jìn)版的4nm工藝，蘋(píng)果這邊有M1/M1 Pro/M1 Max，M2系列很快也要量產(chǎn)了，產(chǎn)能需求很高。除了蘋(píng)果這個(gè)VVVIP客戶(hù)之外，AMD今年也會(huì)有5nm Zen4架構(gòu)處理器及5nm RDNA3架構(gòu)GPU芯片，他們也是最重要的5nm工藝客戶(hù)之一。聯(lián)發(fā)科今天發(fā)布了天璣8100/8000處理器，也是臺(tái)積電5nm工藝，投片量也不低，NVIDIA
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玩芯片到底有燒錢(qián)？5nm已經(jīng)達(dá)到1000億級(jí)別

如今，大家都知道芯片是nm級(jí)的進(jìn)階，但大家并不是了解的是芯片燒錢(qián)的程度。從90nm工藝開(kāi)始使用12英寸晶圓之后，每一代工藝的建設(shè)成本都在急劇增加，28nmg工藝建廠(chǎng)就要60億美元，14nm工藝需要100億美元。如果是10nm以下節(jié)點(diǎn)，7nm工藝要120多億美元，5nm節(jié)點(diǎn)則要160億美元，約合人民幣1019億元。上千億的投入建成的還是50K月產(chǎn)能的，也就是每月生產(chǎn)5萬(wàn)片晶圓，如果追求更高產(chǎn)能，10萬(wàn)片晶圓的大型工
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臺(tái)積電發(fā)布N4P工藝：增強(qiáng)版的5nm制程技術(shù)都有哪些不同？

在2021開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺(tái)積電（TSMC）宣布推出N4P工藝，這是以目前5nm制程節(jié)點(diǎn)為基礎(chǔ)，以性能為重點(diǎn)的增強(qiáng)型工藝。采用N4P技術(shù)生產(chǎn)的首批產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2022年下半年完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。N4P制程工藝的推出強(qiáng)化了臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體技術(shù)組合，其中的每項(xiàng)技術(shù)皆具備獨(dú)特的效能、功耗效率以及成本優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)優(yōu)化的N4P可提供高性能運(yùn)算（HPC）與移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用一個(gè)更強(qiáng)化且先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)。N4N4P是繼N5、N4后，臺(tái)積電5nm家族的第三個(gè)主要強(qiáng)化版本。臺(tái)積電稱(chēng)，N4P的性能較原先的N5增
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聯(lián)發(fā)科下一代旗艦Soc曝光：臺(tái)積電4nm工藝

　　昨晚，博主數(shù)碼閑聊站爆料，明年是聯(lián)發(fā)科沖擊高端市場(chǎng)的關(guān)鍵一年，聯(lián)發(fā)科下一代旗艦芯片將是前期唯一一款基于臺(tái)積電4nm工藝打造的產(chǎn)品?！　〈饲芭兜男畔@示，聯(lián)發(fā)科下一代旗艦Soc可能會(huì)命名為天璣2000?！　?jù)爆料，天璣2000將采用超大核+大核+小核的三叢核架構(gòu)，其中超大核為Cortex X2，與目前的Cortex-X1相比，Cortex-X2在指令集升級(jí)為ARMv9-A的同時(shí)，還針對(duì)分支預(yù)測(cè)與預(yù)取單元、流水線(xiàn)長(zhǎng)度、亂序執(zhí)行窗口、FP/ASIMD流水線(xiàn)、載入存儲(chǔ)窗口和結(jié)構(gòu)等進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，提升處理效
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芯翼信息科技完成近5億元B輪融資

近日，物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統(tǒng)SoC芯片提供商芯翼信息科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：芯翼信息科技或公司）完成近5億元B輪融資，資金主要用于加強(qiáng)芯片產(chǎn)品研發(fā)、完善生產(chǎn)制造供應(yīng)鏈、擴(kuò)充核心團(tuán)隊(duì)等。本輪投資由招銀國(guó)際、中金甲子聯(lián)合領(lǐng)投，招商局資本、寧水集團(tuán)、亞昌投資等跟投，另外老股東峰瑞資本、晨道資本、華睿資本等持續(xù)加注。芯翼信息科技成立于2017年，是一家專(zhuān)注于物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統(tǒng)SoC芯片研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品涵蓋通訊、主控計(jì)算、傳感器、電源管理、安全等專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域。公司創(chuàng)始人及核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)自于美國(guó)博通、邁凌、瑞
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Silicon Labs在全球率先推出安全Sub-GHz片上系統(tǒng)，無(wú)線(xiàn)傳輸距離超過(guò)1英里，電池壽命超過(guò)10年

– Silicon Labs擴(kuò)展Series 2平臺(tái)，支持Amazon Sidewalk、mioty、無(wú)線(xiàn)M-Bus和Z-Wave
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英特爾推進(jìn)全新架構(gòu)，面向數(shù)據(jù)中心、HPC-AI和客戶(hù)端計(jì)算

　　英特爾推出兩大x86 CPU內(nèi)核、兩大數(shù)據(jù)中心SoC、兩款獨(dú)立GPU，以及變革性的客戶(hù)端多核性能混合架構(gòu)　　本文作者：Raja M.Koduri英特爾公司高級(jí)副總裁兼加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理　　架構(gòu)是硬件和軟件的“煉金術(shù)”。它融合特定計(jì)算引擎所需的先進(jìn)晶體管，通過(guò)領(lǐng)先的封裝技術(shù)將它們連接，集成高帶寬和低功耗緩存，在封裝中為混合計(jì)算集群配備高容量、高帶寬內(nèi)存和低時(shí)延、可擴(kuò)展互連，并確保所有軟件無(wú)縫地加速。披露面向新產(chǎn)品的架構(gòu)創(chuàng)新，是英特爾架構(gòu)師在每年架構(gòu)日上的期許，今年舉辦的第三屆英特爾架構(gòu)日令人
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基于逐次最鄰近插值的動(dòng)力電池電壓模擬方法*

動(dòng)力電池模擬系統(tǒng)是新能源汽車(chē)測(cè)試平臺(tái)等工業(yè)領(lǐng)域的重要裝備，而電池模型是該系統(tǒng)能否精確模擬電池特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。為兼顧數(shù)據(jù)容量和給定電壓的精確性，提出逐次最鄰近插值算法應(yīng)用于電池模型數(shù)據(jù)查表，該方法根據(jù)動(dòng)力電池在電池電荷狀態(tài)(State of Charge，SOC)初始段、平穩(wěn)段和末尾段的輸出特性，建立了三個(gè)不同分辨率的模型子表，并借鑒最鄰近插值算法的計(jì)算量小和容易實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)，采用對(duì)模型表逐次迭代分區(qū)，進(jìn)而逼近實(shí)際SOC和采樣電流對(duì)應(yīng)的電池模型給定電壓值，達(dá)到細(xì)化電池模型表分辨率效果。討論了迭代次數(shù)選擇對(duì)算法
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臺(tái)積電5nm產(chǎn)線(xiàn)污染原因查明：不影響A15生產(chǎn)

臺(tái)積電目前查明蘋(píng)果A15代工廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)污染原因：氣體被污染的主要原因是，氧氣中被混入了惰性氣體氬氣（Ar2），影響輕微。8月10日消息，前段時(shí)間，蘋(píng)果A15芯片的主力代工廠(chǎng)：南科18A工廠(chǎng)疑似污染。許多方面都擔(dān)心，臺(tái)積電5nm產(chǎn)線(xiàn)會(huì)因此暫時(shí)停產(chǎn)，蘋(píng)果A15芯片的量產(chǎn)將受到重創(chuàng)。對(duì)此，有媒體了解到最新消息稱(chēng)，臺(tái)積電表示該事件造成的影響十分輕微，氣體被污染的主要原因是，氧氣中被混入了惰性氣體氬氣（Ar2）。不過(guò)，盡管受到污染，但由于氬氣不參與化學(xué)反應(yīng)，所以對(duì)生產(chǎn)過(guò)程沒(méi)有影響，工廠(chǎng)端只需要清洗存儲(chǔ)槽即可。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)
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ASML正式承認(rèn)，芯片技術(shù)開(kāi)始轉(zhuǎn)移

在遭遇了西方的芯片技術(shù)封鎖后，我國(guó)自主研發(fā)高端光刻機(jī)的呼聲越來(lái)越高，雖然近日來(lái)很多權(quán)威人士對(duì)這樣的做法潑來(lái)了冷水，但是國(guó)際巨頭ASML卻對(duì)國(guó)產(chǎn)高端光刻機(jī)的研發(fā)充滿(mǎn)了“信心”。眾所周知，我國(guó)在光刻機(jī)研發(fā)領(lǐng)域起步較晚，相比于西方仍然具有較大差距，并且根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，一臺(tái)EUV光刻機(jī)價(jià)值上億美元，并且零件數(shù)量高達(dá)上萬(wàn)件，分別來(lái)自全球5000多家供應(yīng)商。更不利的是，美國(guó)、日本、德國(guó)都是光刻機(jī)核心零件的主要供應(yīng)國(guó)，而目前它們對(duì)中國(guó)的科技發(fā)展態(tài)度并不友好，所以這也給國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)零件的供應(yīng)增添了不少難度。即便如此，國(guó)產(chǎn)光刻
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三星有意在美國(guó)建5nm EUV芯片廠(chǎng) 巨額投資

據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子已決定在美國(guó)得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的小型芯片需求和美國(guó)重振半導(dǎo)體計(jì)劃。該工廠(chǎng)將采用5nm制程，計(jì)劃于今年Q3開(kāi)工，2024年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)耗資180億美元，同時(shí)也是三星電子首次在韓國(guó)之外設(shè)立EUV產(chǎn)線(xiàn)。去年，臺(tái)積電去宣布將在美國(guó)建設(shè)芯片工廠(chǎng)，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片，目標(biāo)是2024年投產(chǎn)。最新消息稱(chēng)，臺(tái)積電管理層目前正在討論，他們?cè)诿绹?guó)的下一座芯片工廠(chǎng)，是否采用更先進(jìn)的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片。
關(guān)鍵字：三星 5nm EUV 芯片廠(chǎng)