半導(dǎo)體走到3nm制程節(jié)點(diǎn)不成問題

• 　　在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領(lǐng)先的獨(dú)立納米技術(shù)研究機(jī)構(gòu)——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會繼續(xù)，我不僅相信它將會繼續(xù)，而且我認(rèn)為它不得不繼續(xù)。” 　　他認(rèn)為，目前從技術(shù)層面來說，F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經(jīng)可以幫我們持續(xù)推進(jìn)到3nm的制程節(jié)點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來的唯一選擇。
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