3nm gaa 文章 進入3nm gaa技術(shù)社區(qū)
Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？
- Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲備，Intel的實力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國際超大規(guī)模集成電路會議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實驗室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結(jié)構(gòu)研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu)，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點上引入的，仍在持續(xù)推進，而接下來最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，重新設(shè)計晶體管底層
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外媒稱臺積電已開始安裝3nm生產(chǎn)線 早于此前預(yù)期
- 據(jù)國外媒體報道，在5nm工藝順利量產(chǎn)之后，芯片代工商臺積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點，已經(jīng)放在了更先進的3nm和2nm上。5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面，臺積電是計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022年上半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。在3nm生產(chǎn)線方面，外媒在今年3月底的報道中，是表示臺積電在今年10月份就會開始安裝相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備。而在最新的報道中，出現(xiàn)了臺積電已提前開始安裝3nm生產(chǎn)線的消息。外媒在報道中表示，臺積電已經(jīng)開始安裝3nm生產(chǎn)線及相關(guān)的設(shè)施，正在按進度推進。包括創(chuàng)始人張忠謀、現(xiàn)任CEO魏哲家在內(nèi)的
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臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)
- 盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會因為疫情導(dǎo)致下滑,但臺積電的業(yè)績不降反升,掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過這個技術(shù)會議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進度。臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,并沒有受到疫情影響,預(yù)計在2021年進入風(fēng)險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術(shù)路線上,臺積電評估多種選擇后
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外媒：臺積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備
- 據(jù)國外媒體報道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報道顯示，臺積電今年4月份就將開始為相關(guān)客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，臺積電也將注意力放在了更先進的3nm工藝上。在最新的報道中，外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個重要節(jié)點。在2019年第四季度的財報分析師電話會
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面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機曝光
- 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
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Intel最新制程路線圖曝光：10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm
- 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設(shè)備會議上），有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖，14nm之后的節(jié)點一覽無余，甚至推進到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標定義階段，3nm處于探索、先導(dǎo)階
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三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%
- 盡管日本嚴格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進度都會比臺積電要晚一些，導(dǎo)致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺積電：3nm工藝進展順利 已有客戶參與
- 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺積電一直十分激進，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術(shù)定義，3nm將在未來進一步深化臺積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒有給出任何技術(shù)細節(jié)，以及性能、功耗指標，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點，而不是5nm的改進版。臺積電只是說，已經(jīng)評估了3n
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看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進內(nèi)存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
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