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長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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ST與Metalenz合作提供光學(xué)超結(jié)構(gòu)透鏡技術(shù)
- Metalenz與意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，ST）宣布推出VL53L8直接飛行時間（Direct Time-of-Flight，dToF）傳感器。 Metalenz與意法半導(dǎo)體為消費性電子設(shè)備提供世界首創(chuàng)光學(xué)超結(jié)構(gòu)透鏡技術(shù)Metalenz的超結(jié)構(gòu)光學(xué)透鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的技術(shù)研發(fā)成果，可以取代現(xiàn)有結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多鏡片鏡頭。嵌入一顆超結(jié)構(gòu)光學(xué)透鏡后，來自3D傳感器模塊大廠意法半導(dǎo)體的飛行時間（ToF）測距模塊可以提供更多功能。Metalenz光學(xué)技術(shù)導(dǎo)入這些模塊，可以為眾多消費性
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年
- 近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢姡瑖a(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預(yù)計年底量產(chǎn)
- 頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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提供應(yīng)用關(guān)鍵價值的3D ToF LIDAR技術(shù)
- 3D飛行時間（3D ToF）是一種無掃描儀LIDAR（光檢測和測距，激光雷達）技術(shù)，通過發(fā)射納秒級的高功率光脈沖來捕獲相關(guān)場景的深度信息（通常是短距離內(nèi)），已經(jīng)廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)4.0、汽車、醫(yī)療健康、安防和監(jiān)控、機器人等領(lǐng)域。本文將為您介紹3D ToF技術(shù)的發(fā)展與ADI推出的相關(guān)解決方案。3D ToF技術(shù)可精準(zhǔn)進行距離測量3D ToF技術(shù)是采用ToF攝像頭通過使用調(diào)制光源（例如激光）主動照亮物體，然后用對激光波長敏感的傳感器捕捉反射光，以此測量距離。傳感器測量從攝像頭發(fā)射光，到攝像頭接收到發(fā)射光之
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意法半導(dǎo)體第二代多區(qū)飛行時間傳感器性能升級
- 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出最新的FlightSense飛行時間（ToF）測距傳感器，適用于智能型手機鏡頭管理和擴增實境和虛擬現(xiàn)實裝置。透過大幅提升關(guān)鍵組件的性能，意法半導(dǎo)體最新ToF模塊的測距性能相較上一代產(chǎn)品提升一倍，室內(nèi)全區(qū)模式測距長達4公尺，在相同條件下，功耗比上一代產(chǎn)品降低了一半。意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨模擬、MEMS和傳感器事業(yè)群之影像子事業(yè)部總經(jīng)理Eric Aussedat表示，ST的ToF技術(shù)在商用領(lǐng)域獲得了傲人的
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級
- 比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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意法半導(dǎo)體推出二代多區(qū)直接ToF傳感器
- · VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器非常適用于智能手機以及智能揚聲器、人機界面、消費類激光雷達和 AR/VR/MR· 傳感器集成新的革命性超表面透鏡 (metasurface lens) 技術(shù)和性能更強、能效更高的激光源和片上處理改進技術(shù) 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出了新一代FlightSense?飛行時
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器
- 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求，以及實現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用
- 增強現(xiàn)實（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應(yīng)用而設(shè)計，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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意法半導(dǎo)體推全套型STGesture手勢識別技術(shù)
- 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST），推出能在設(shè)計簡單、注重成本的消費性與工業(yè)應(yīng)用中，加入非接觸式手勢控制的解決方案。該解決方案包括意法半導(dǎo)體的VL53L5CX FlightSense飛行時間（Time-of-Flight，ToF）多區(qū)測距傳感器和免費的工程開發(fā)用軟件。采用ToF傳感器的姿態(tài)識別是一項突破性的人機互動技術(shù)，讓使用者能夠與各種設(shè)備進行復(fù)雜的互動。手勢控制人機互動最初是高階汽車的一項功能配置，現(xiàn)在則可以改善并加強多種設(shè)備的人機互
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意法半導(dǎo)體發(fā)布經(jīng)濟實惠的STGesture?手勢識別全套解決方案
- ●? ?FlightSense?專用軟件包可以實現(xiàn)低功耗、低成本的手勢檢測●? ?基于ToF 多區(qū)測距傳感器的無攝像頭人機交互解決方案可實現(xiàn)全隱私服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)，推出一款非接觸式的手勢控制解決方案，該方案不僅設(shè)計簡潔且價格實惠，同時還可使用于消費者和工業(yè)應(yīng)用中。這款解決方案包括了意法半導(dǎo)體的VL53L5CX FlightSense?飛行時間 (ToF) 多區(qū)測距傳感器和免費的
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NVIDIA透過人工智能 將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場景
- 當(dāng)人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過來，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預(yù)估光線在真實世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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