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3D NAND這么火，比2D NAND到底優(yōu)秀在哪？

如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
關(guān)鍵字：閃存 3DNAND 2DNAND

　　2017年將是3DNANDFlash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3DNANDFlash加入競局，SK海力士(SKHynix)更一舉跳到72層3DNANDFlash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NANDFlash市場大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3DNANDFlash時代。三星在2016年底宣布量產(chǎn)64層3DN
關(guān)鍵字： 3DNAND 2DNAND

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