中文字幕 另类精品,亚洲欧美一区二区蜜桃,日本在线精品视频免费,孩交精品乱子片免费

<sup id="3hn2b"></sup>
  • 

      <sub id="3hn2b"><ol id="3hn2b"></ol></sub><legend id="3hn2b"></legend>
        

        2. <xmp id="3hn2b"></xmp>
        3. 


        
	
  	
        
	
        
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
        




        
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	20nm
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        GlobalFoundries 20nm工藝成功流片
        
                                                            
          
                    	
        • 　　GlobalFoundries今天宣布，最新的20nm工藝試驗芯片已于近日成功流片，這也是新工藝發(fā)展之路上里程碑式的關鍵一步。
　　GlobalFoundries 20nm工藝使用了四家電子設計自動化(EDA)廠商的工藝流程，分別是Cadence Design Systems、Magma Design Automation、Mentor Graphics Corporation、Synopsys Inc.。
　
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        三星使用Cadence統(tǒng)一數(shù)字流程實現(xiàn)20nm芯片流片
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Cadence設計系統(tǒng)有限公司近日宣布高科技廠商三星電子有限公司使用Cadence統(tǒng)一數(shù)字流程，從RTL到GDSII，成功實現(xiàn)了20納米測試芯片的流片。Cadence Encounter工具集成平臺的流程與方法學的應用，滿足了三星片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品對于高級20納米工藝技術的需要。該流程處理了IP集成與驗證，以及20納米工藝的復雜設計規(guī)則。
　　此次成功表明了三星在高級工藝節(jié)點上設計與生產(chǎn)的領先地位，以及Cadence統(tǒng)一數(shù)字流程拓展到下一個工藝節(jié)點的實力。此外，達到這樣的里程碑表明設計鏈的主要方
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        三星  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        三星成功流片全球第一顆20nm工藝試驗芯片
        
                                                            
          
                    	
        • 　　三星電子日前宣布，已經(jīng)成功實現(xiàn)了20nm工藝試驗芯片的流片，這也是迄今為止業(yè)內(nèi)最先進的半導體制造工藝。三星電子此番利用了美國加州電子設計自動化企業(yè)Cadence Design Systems提供的一體化數(shù)字流程RTL-to-GDSII。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        三星  20nm  Cortex-M0                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        NVIDIA與IMEC共同研發(fā)先進CMOS工藝
        
                                                            
          
                    	
        • 　　近日比利時注明的獨立微電子研究機構IMEC近日宣布與NVIDIA達成合作協(xié)議，共同致力于先進CMOS工藝的研發(fā)。
　　簽署這份為期三年的協(xié)議后，NVIDIA將成為IMEC的InSite核心級別無工廠合作伙伴，能在第一時間為自己的下一代產(chǎn)品評估和選擇先進的制造工藝和設計技術，還將攜手研發(fā)3D三柵極晶體管、后20nm工藝光刻應用等技術。　
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        NVIDIA  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        預計明年NAND閃存銷售量漲價跌
        
                                                            
          
                    	
        • 　　集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
　　集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
　　
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        NAND  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        法機構將于明年9月啟動基于20nm FDSOI的300mm多項目晶片研究計劃
        
                                                            
          
                    	
        • 　　法國兩家半導體研究機構CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項定于明年9月份啟動的300mm多項目晶片研究計劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項目晶片研究計劃是由歐洲一個專門研究SOI技術的學術團體EuroSOI+負責參與支持的。
　　所謂的多項目芯片(multi-project wafer：MPW)，指的是在同一片晶圓上采用相同的制程制出不同電路設計的IC芯片，這樣可以為多家廠商或研究機構的IC設計驗證節(jié)約成本，非常適用于
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        FDSOI  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        臺積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報道，臺積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種制程生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品在0.45V工作 電壓條件下的信號噪聲僅為0.09V。
　　這種Finfet制程技術采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應變(multiple stressors，指應用多種應力源增強溝道載流子遷移率的技術)技術，臺積電宣稱
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        臺積電  立體晶體管  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Applied Materials宣布開發(fā)出深寬比高達30：1的化學氣相淀積技術
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Applied Materials公司近日宣布開發(fā)出了一種新的化學氣相淀積(CVD)技術，這種技術能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的 隔離層結構。據(jù)Applied Materials公司宣稱，這些隔離結構的深寬比可超過30：1，比目前工藝對隔離結構的要求高出5倍左右。
　　這項技術使用了Applied Materials公司名為Eterna流動式化學氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術專利，淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動到需要填充的各種形狀的結構中
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        應用材料  CVD  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。

?
　　Hynix Cheong-ju M11工廠
　　Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Hynix  NAND  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        ARM與臺積電簽署芯片代工與芯片設計技術合作協(xié)議
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　ARM與其長期代工合作伙伴臺積電公司近日宣布雙方已經(jīng)正式簽署了由臺積電公司使用28/20nm制程技術為ARM公司代工新款SOC芯片的合作協(xié)議。根據(jù)這份協(xié)議，臺積電公司將為ARM代工多款專門針對臺積電的制程技術優(yōu)化過的ARM處理器產(chǎn)品，另外，雙方還將合作開發(fā)專門針對臺積電的制程技術優(yōu)化過的 處理器核心設計技術，這些技術將被應用到包括無線功能，便攜式計算，平板電腦產(chǎn)品，高性能計算等應用范圍的產(chǎn)品中去。

　　去年，ARM曾經(jīng)與臺積電的死對頭GlobalFoundries簽訂了一項合作協(xié)議，不過那份協(xié)議
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        ARM  20nm  SOC                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        挺進20nm：臺積電2011年將開始在Fab12工廠裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設備
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　據(jù)臺積電公司負責技術研發(fā)的副總裁蔣尚義表示，2011年臺積電從荷蘭ASML公司訂購的極紫外(EUV，波長13.5nm)光刻設備將運抵廠內(nèi)，這批訂 購的設備將為臺積電公司2013年將公司制程能力升級到20nm級別鋪平道路.蔣尚義是在本月24日舉辦的臺積電技術論壇會議上說出這番話的,他同時還指 出EUV光刻技術要想投入商用還需要更加成熟，另外他還透露這批訂購的EUV光刻工具每小時能刻制100片晶圓。

　　臺積電首批EUV光刻設備將被安裝在300mm Fab12工廠內(nèi)，而臺積電未來的研發(fā)重點則將放在2
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        臺積電  20nm  光刻設備                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        張忠謀談半導體業(yè) 需要加強合作
        
                                                            
          
                    	
        • 　　臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。
　　在近期舉行的臺積電技術會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。
　　它對于大家說,此種合作關系要從芯片設計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。
　　它同時指出，加強合作要依技術為先。從技術層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構成大的威脅。
　　非常幸運, 大部分
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        臺積電  20nm  CMOS                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝
        
                                                            
          
                    	
        • 　　繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。
　　海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。
　　海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據(jù)韓國當?shù)孛襟w的報道，海力士將在今年第三季度開始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經(jīng)占
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        三星  20nm  NAND閃存  海力士                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設備的大門，成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善，實現(xiàn)了這次突破。

　　在傳統(tǒng)工藝中，由于電子活動性降低，通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實現(xiàn)。但東芝在溝道構造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實現(xiàn)了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        東芝  CMOS  20nm                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        東芝Sandisk計劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達到20萬片的產(chǎn)能水平。
　　東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應在今年底前達到總產(chǎn)量的50%左右，不過按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來看，實際的量產(chǎn)實施時間看來已經(jīng)會有所拖延。
　　另一方面，對手In
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        SanDisk  20nm  NAND  閃存芯片                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
	共76條
	5/6		|‹
			«
														1																2																3																4																5																6							»
			
	
        
		                
        
	               	
        
                
        
        	
        
            
        
        
        
	
        
	
        
  		
        
    		
        
      			
        
          			
        20nm介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條20nm!
         
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對20nm的理解，并與今后在此搜索20nm的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		  		  		        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
        熱門主題
        
      			
        
      			
        
       	          						20nm   
										樹莓派   
					linux   
      			
        
    		
        
  		
        
		
        
	
        
	
        

        

        
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
        
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473