Applied Materials公司近日宣布開發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)，這種技術(shù)能為20nm及更高等級(jí)制程的存儲(chǔ)/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的 隔離層結(jié)構(gòu)。據(jù)Applied Materials公司宣稱，這些隔離結(jié)構(gòu)的深寬比可超過30：1，比目前工藝對隔離結(jié)構(gòu)的要求高出5倍左右。

　　這項(xiàng)技術(shù)使用了Applied Materials公司名為Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術(shù)專利，淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動(dòng)到需要填充的各種形狀的結(jié)構(gòu)中，填充形式為自底向上，而且填充結(jié)構(gòu)中不會(huì)產(chǎn)生空隙。

　　Applied Materials公司還宣稱目前采用了Eterna FCVD技術(shù)的化學(xué)氣相淀積設(shè)備已經(jīng)在六家客戶公司內(nèi)開始裝機(jī)，這些客戶包括內(nèi)存，閃存以及邏輯芯片廠商。

　　化學(xué)氣相淀積(CVD)是通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層固體膜的工藝，可用來淀積各種氧化物，氮化物，多晶硅以及金屬導(dǎo)體膜。