修改部分設(shè)計，三星第六代10納米級1cDRAM延后半年

• 韓國媒體MeyyToday報導(dǎo)，存儲器大廠三星將第六代10納米級1cDRAM制程開發(fā)延后六個月到6月才完成。 三星之前宣稱第六代10納米級1cDRAM制程2024年底開發(fā)完并量產(chǎn)，但良率沒有提升，導(dǎo)致時程再延后半年，這會使預(yù)定下半年量產(chǎn)的第六代高頻寬存儲器（HBM4）一并延后。報導(dǎo)引用市場人士說法，三星第六代10納米級1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個測試芯片，但因為無法達到預(yù)期的良率，因此將預(yù)定開發(fā)完成的時間延后六個月。 而在這六個月中，三星
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