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        Intel 14代酷睿或?qū)魯√O果M2 新工藝功耗降40%

        • Intel前不久在VLSI大會上介紹了Intel的“4nm EUV”工藝,這兩天媒體曝出了更多的料,HP高性能庫的密度可達1.6晶體管/mm2,是目前Intel 7工藝的2倍,高于臺積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2,接近臺積電3nm的2.08億晶體管/mm2。與Intel 7工藝相比,在同樣的功耗下“4nm EUV”工藝頻率提升21.5%,功耗降低了40%。改用EUV光刻機之后,“4nm EUV”工藝良率也高了,生產(chǎn)制造也更簡單了,不用多次曝光了,工藝步驟減少了5%,光罩數(shù)減少了20%,也
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        14代酷睿介紹

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