驅(qū)動逆變器 文章 進(jìn)入驅(qū)動逆變器技術(shù)社區(qū)
用于800V牽引逆變器的45W輔助電源參考設(shè)計
- 對電動和混合動力汽車的需求不斷增長，這給制造商帶來了壓力，要求他們開發(fā)更高效、更可靠的牽引逆變器系統(tǒng)。關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一是確保輔助電源在不同的故障條件下提供穩(wěn)定的電源。這需要輔助電源能夠處理寬輸入電壓范圍并提供一致的輸出功率，即使在惡劣的環(huán)境中也是如此。這款用于牽引逆變器系統(tǒng)的交鑰匙輔助電源解決方案旨在滿足電動、混合動力和插電式混合動力電動汽車（EV、HEV 和 PHEV）的苛刻電壓和可靠性要求，為大功率牽引逆變器應(yīng)用提供緊湊、高效和強(qiáng)大的解決方案。該設(shè)計具有 40V 至 1000V 的寬輸入范圍，提供 +22
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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動GAN挺進(jìn)超100億美元的電動汽車逆變器市場
- 無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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IGBT模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
- 制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動。然而，這種轉(zhuǎn)變使得電能需求快速增長，給電網(wǎng)帶來了極大的壓力。盡管能效很高，但電動汽車、數(shù)據(jù)中心、熱泵等應(yīng)用仍需要大量能源才能運(yùn)行。太陽能、風(fēng)能、波浪能等新型可再生能源受到廣泛歡迎，正逐漸成為主流。只有完全使用可再生能源的應(yīng)用，才能被視為真正的“清潔”應(yīng)用。太陽能市
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貿(mào)澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴(kuò)展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車?(EV)?以及混合動力電動汽車?(HEV)?的牽引逆變器。英
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档汀|芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世！為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
- 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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實(shí)現(xiàn)SiC器件與先進(jìn)電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”
- 為各行業(yè)提供所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與南京航空航天大學(xué)自動化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手建立聯(lián)合電驅(qū)動實(shí)驗(yàn)室，共同研發(fā)針對碳化硅（SiC）功率電子應(yīng)用的全方位優(yōu)化、匹配先進(jìn)電機(jī)的電控系統(tǒng)，以充分發(fā)揮SiC器件的高頻、高壓、高溫、高效率、高功率密度等性能優(yōu)勢，更好地滿足工業(yè)、航空和新能源汽車應(yīng)用的廣泛需求。先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用 (如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。CISSOID與南京航空航天大學(xué)自動化學(xué)院電
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二季度比亞迪自研逆變器市占率與Denso并列全球第一
- 9月6日消息，根據(jù)TrendForce最新研究報告，受混合動力車種（含HEV及PHEV）帶動，2024年第二季全球電動車牽引逆變器裝機(jī)量達(dá)645萬臺，季增24%。其中，PHEV的裝機(jī)量較前一季增長26%，在各類電動車動力模式中增幅最大，BEV裝機(jī)量則以季增18%位居第二。從供應(yīng)鏈角度分析，比亞迪由于其PHEV車型熱賣，第二季度其自研的牽引逆變器市占率大幅增長至17%，與日本廠商Denso并列第一。此外，中國的匯川技術(shù)市占率季增1%，華為維持不變。整體而言，第二季全球Tier1的逆變器裝機(jī)量表現(xiàn)仍以中國廠商
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媒體報道 | 99%效率，還能簡化電機(jī)驅(qū)動逆變器設(shè)計，PI是怎樣做到的？
- 前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體溝通會，資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理閻金光分享了電機(jī)驅(qū)動技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用趨勢，重點(diǎn)介紹了新推出的第二代產(chǎn)品BridgeSwtich-2在設(shè)計高效、安靜的電機(jī)、減少宕機(jī)時間等方面的一些優(yōu)勢。他表示，三相電機(jī)要用3個半橋驅(qū)動電路來驅(qū)動，BridgeSwitch是一個集成了半橋電路的芯片，而常見的IPM（智能功率模塊）是把6個開關(guān)集成在一個模塊中，溫升效果不盡如人意。BridgeSwtich-2在第一代產(chǎn)品基礎(chǔ)上進(jìn)行了一些改進(jìn)，更適合無刷直流電機(jī)應(yīng)用。01無刷直流
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新一代800 V SiC電動汽車牽引逆變器，恩智浦高壓隔離柵極驅(qū)動器強(qiáng)力賦能！
- 恩智浦半導(dǎo)體宣布與電動汽車領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)采埃孚股份公司（ZF Friedrichshafen AG）合作下一代基于SiC的電動汽車（EV）牽引逆變器解決方案。解決方案采用恩智浦先進(jìn)的GD316x高壓（HV）隔離柵極驅(qū)動器，旨在加速800V和SiC功率器件的采用。GD316x產(chǎn)品系列支持實(shí)現(xiàn)安全、高效且性能更高的牽引逆變器，從而可以延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電次數(shù)，同時降低OEM的系統(tǒng)級成本。恩智浦與采埃孚之間的合作是推動汽車行業(yè)電氣化的重要一步，有助于為未來打造更加安全、可持續(xù)且高效節(jié)能的電動汽車。&n
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驅(qū)動逆變器介紹
驅(qū)動逆變器是新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)的核心能量轉(zhuǎn)換裝置，承擔(dān)著將動力電池直流電（DC）轉(zhuǎn)換為驅(qū)動電機(jī)所需交流電（AC）的關(guān)鍵任務(wù)。作為連接儲能系統(tǒng)與動力輸出單元的“電能翻譯官”，其性能直接決定車輛的加速性能、能效水平及續(xù)航能力，是電動化技術(shù)突破的核心戰(zhàn)場。驅(qū)動逆變器的技術(shù)框架圍繞“高效能量轉(zhuǎn)換”與“智能控制”兩大核心展開?；A(chǔ)拓?fù)洳捎肏橋電路結(jié)構(gòu)，通過功率半導(dǎo)體器件（如IGBT或碳化硅MOS [ 查看詳細(xì) ]
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