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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 聯(lián)電

        聯(lián)電成首家取得ISO22301營運(yùn)持續(xù)管理系統(tǒng)證書晶圓專業(yè)公司

        •   聯(lián)華電子2013年4月12日宣布,取得臺(tái)灣檢驗(yàn)科技股份公司(SGS,Societe Generale de Surveillance)頒發(fā)之ISO 22301營運(yùn)持續(xù)管理系統(tǒng)證書,成為全球第一家獲該項(xiàng)認(rèn)證的晶圓專工公司。顯示聯(lián)華電子針對(duì)重大災(zāi)害已作好應(yīng)變準(zhǔn)備,并建立了可快速恢復(fù)之機(jī)制。通過此項(xiàng)認(rèn)證有助強(qiáng)化聯(lián)華電子在客戶、保險(xiǎn)公司和利益關(guān)系人心目中的風(fēng)險(xiǎn)管理形象。   聯(lián)華電子有感于重大事故所帶來的營運(yùn)沖擊,于2000年初即發(fā)展各廠區(qū)面對(duì)不同外在威脅下之營運(yùn)持續(xù)計(jì)劃(BCP),并通過年度演練與稽核持續(xù)
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        聯(lián)電28納米趕路苦 今年獲利估降

        •   聯(lián)電苦于追趕28納米制程進(jìn)度,法人擔(dān)憂公司市占率流失及競(jìng)爭(zhēng)力不足,對(duì)于聯(lián)電今年獲利預(yù)計(jì)低于去年,目前本土法人對(duì)聯(lián)電今年EPS預(yù)估由0.7元下調(diào)至0.4元左右。   聯(lián)電已耗費(fèi)一年時(shí)間致力于提高28納米良率,但仍無法邁入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,公司管理層也預(yù)估今年底28納米產(chǎn)品僅有個(gè)位數(shù)的營收貢獻(xiàn)度。法人擔(dān)憂聯(lián)電28納米制程進(jìn)展過慢,無法跟上變化快速的市場(chǎng),恐導(dǎo)致今年市占率流失。法人認(rèn)為,聯(lián)電已錯(cuò)失智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等可攜式裝置的升級(jí)趨勢(shì);預(yù)期聯(lián)電未來兩季將面臨高階通訊產(chǎn)品需求疲弱、先進(jìn)制程市占率流失等問題
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        聯(lián)電使用Edwards環(huán)保型干式真空泵獲新加坡國家環(huán)境局基金

        • 全球領(lǐng)先的高精真空產(chǎn)品及尾氣處理系統(tǒng)制造商及相應(yīng)增值服務(wù)領(lǐng)先供應(yīng)商Edwards集團(tuán)公司(納斯達(dá)克代碼:EVAC)日前宣布,聯(lián)電公司(UMC)(紐約證券交易所代碼:UMC/臺(tái)灣證券交易所代碼:2303)已經(jīng)收到一份來自新加坡國家環(huán)境局的基金。發(fā)放能效技術(shù)基金項(xiàng)目(GREET)激勵(lì)基金是因?yàn)槁?lián)電使用Edwards的環(huán)保型iXL120干式真空泵。
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        卡位14/16nm市場(chǎng) 晶圓廠加碼FinFET研發(fā)

        •   全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后,臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表,希冀藉此一新技術(shù),提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案,搶占通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。   鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸,各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構(gòu),預(yù)計(jì)明后年即可開花結(jié)果,并開始挹注營收貢獻(xiàn)。   在眾家晶圓廠中,
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        導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相

        •   聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù),預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì),擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。   聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示,14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì)是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場(chǎng)的最佳利器。   聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中,勢(shì)必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn),而此
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        臺(tái)晶圓雙雄Q4營收恐衰5~10%

        •    瑞信證券出具最新半導(dǎo)體報(bào)告指出,晶圓代工廠8月營收表現(xiàn)亮眼,特別是臺(tái)積(2330)8月營收大幅優(yōu)于預(yù)期,而聯(lián)電(2303)則在低價(jià)智慧型手機(jī)拉貨帶動(dòng)下,營收走高,世界先進(jìn)(5347)也在驅(qū)動(dòng)IC出貨拉升下,繳出亮眼成績(jī)單,不過,瑞信證券認(rèn)為,晶圓代工廠營收第三季表現(xiàn)搶眼,第四季后仍將面臨兩個(gè)季度的庫存修正狀況,預(yù)估晶圓代工廠產(chǎn)能利用率落底時(shí)間將落在明年農(nóng)歷年。   瑞信證券表示,晶圓代工廠第三季的強(qiáng)勁營收成長(zhǎng)并不代表第四季將沒有庫存修正,瑞信證券指出,在半導(dǎo)體庫存水位升高影響下,加上PC
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        趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)

        • 聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭(zhēng)食2.5D/三維晶片(3D IC)商機(jī)大餅,聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù),將采Via-Middle方式,在晶圓完成后旋即穿孔,再交由封測(cè)廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)等標(biāo)準(zhǔn)組裝晶片。目前規(guī)畫于今年第四季邁入產(chǎn)品實(shí)測(cè)階段,并于2013年展開商用量產(chǎn)。
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        半導(dǎo)體代工 幾家歡喜幾家愁

        • 的變化,上有半導(dǎo)體代工工廠的境況也可謂是喜憂參半。作為一個(gè)國家科技實(shí)力的象征,很多半導(dǎo)體企業(yè)可以獲得來自政府的直接或間接投資,但如果一個(gè)國家有多家半導(dǎo)體代工企業(yè),那么相對(duì)弱勢(shì)的企業(yè)則很難得到來自政府的鼎力支持。另一方面,半導(dǎo)體代工行業(yè)是一項(xiàng)前期投資非常巨大且投資回報(bào)周期相對(duì)較長(zhǎng)的行業(yè),資金鏈?zhǔn)欠窠】抵苯雨P(guān)系到企業(yè)能否繼續(xù)生存下去
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        臺(tái)積供應(yīng)吃緊 聯(lián)電產(chǎn)能滿載

        •   IC設(shè)計(jì)界傳出,臺(tái)積電的先進(jìn)制程產(chǎn)品訂單出貨比(B/B)值上月已升破1,聯(lián)電產(chǎn)能趨于滿載,臺(tái)積電甚至在本季起針對(duì)特定制程啟動(dòng)「產(chǎn)能配給」供應(yīng),對(duì)客戶的交貨期也從正常的四至六周拉長(zhǎng)到十周以上,宣告半導(dǎo)體業(yè)旺季提前到來。   臺(tái)積電、聯(lián)電將分別在26、25日舉行法說會(huì),屆時(shí)將發(fā)布第一季財(cái)報(bào)及第二季展望,但因目前處于財(cái)報(bào)緘默期,晶圓雙雄均表示目前無法評(píng)論接單狀況。   部分IC設(shè)計(jì)公司由于客戶端需求好轉(zhuǎn),拉貨力道加速,轉(zhuǎn)而向晶圓代工廠加碼下單。據(jù)了解,先進(jìn)制程28奈米至成熟制程65奈米等均傳出供應(yīng)吃緊,
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        30年來頭一遭聯(lián)電痛失晶圓二哥寶座

        •   外電報(bào)導(dǎo),格羅方德(Globalfoundries)行銷副總諾恩(MicahelNoonen)發(fā)出豪語,公司去年第四季營收首度超越聯(lián)電,成為全球第二大晶圓代工廠。這是聯(lián)電近30多年來,首度失去晶圓代工二哥寶座,臺(tái)灣獨(dú)霸全球晶圓代工領(lǐng)域的地位面臨挑戰(zhàn)。   聯(lián)電16日不愿對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手狀況置評(píng)。業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積電、聯(lián)電聯(lián)手稱霸全球晶圓代工業(yè)多年,近年三星、格羅方德崛起,臺(tái)灣晶圓雙雄腹背受敵,格羅方德規(guī)模超越聯(lián)電,讓晶圓代工業(yè)版圖大洗牌,臺(tái)灣應(yīng)更審慎因應(yīng)「美韓夾擊」帶來的沖擊。   格羅方德是超微2009年
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        聯(lián)電2月營收75.23億元月減6.55%

        •   聯(lián)電8日公布內(nèi)部自行結(jié)算2月營收為新臺(tái)幣75.23億元,月減6.55%,并為近33個(gè)月來單月營收新低。聯(lián)電說明,2月受工作天數(shù)減少影響,應(yīng)為第1季營運(yùn)谷底,3月隨著工作天數(shù)增加,業(yè)績(jī)應(yīng)可順利回升。   聯(lián)電表示,自結(jié)2月業(yè)績(jī)較上月80.51億元減少6.55%,主要是元月有客戶急單挹注,而2月受工作天數(shù)減少影響。而隨市場(chǎng)需求符合預(yù)期,2月應(yīng)為第1季營運(yùn)谷底,3月隨著工作天數(shù)增加,業(yè)績(jī)應(yīng)可順利回升。據(jù)聯(lián)電法說資料預(yù)估,今年第一季營收將較去年第4季244.3億元小幅下滑5%以內(nèi),隨1-2月營收累計(jì)約155
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        聯(lián)電與世界先進(jìn)公布去年第四季度營收

        •   晶圓代工廠聯(lián)電本月9日公布去年12月營收達(dá)81.05億元,第4季營收244.25億元,季減3%;世界先進(jìn)12月營收達(dá)10.52億元,第4季營收為33.08億元,季減14.6%。兩家晶圓代工廠第4季營收均優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,主要是受惠于急單涌入及新臺(tái)幣貶值。臺(tái)積電于10日公布12月營收,市場(chǎng)初估與11月的358.59億元相當(dāng)。   聯(lián)電12月營收達(dá)81.04億元,較11月微增0.5%,第4季營收達(dá)244.25億元,僅較第3季的251.86億元減少3%,優(yōu)于市場(chǎng)普遍預(yù)估的季減5%。聯(lián)電第4季接單平穩(wěn),11月及
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        聯(lián)電8月營收82.01億元 月減6.91% 創(chuàng)2年來新低

        •   聯(lián)電近日公布自結(jié)8月營收,為新臺(tái)幣82.01億元,月減6.91%,并為2年多來的單月營收新低。聯(lián)電表示,全球經(jīng)濟(jì)的不確定性升高,影響顧客對(duì)公司的投片量,但營收衰退幅度仍在早先預(yù)期范圍內(nèi)。   聯(lián)電表示,內(nèi)部自行結(jié)算8月營收為新臺(tái)幣82.01億元,較去年同期減少24.67%,較上個(gè)月減少6.9%。營收衰退幅度仍在早先預(yù)期范圍內(nèi)。
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        聯(lián)電第二季營收增長(zhǎng)乏力 預(yù)計(jì)第三季度下滑11~13%

        •   晶圓代工大廠聯(lián)電日前舉行財(cái)報(bào)會(huì),第2季每股獲利0.26元,針對(duì)第3季財(cái)測(cè)數(shù)字,聯(lián)電預(yù)估營收減少11~13%、營業(yè)利益率至1~3%、產(chǎn)能利用率下滑至71~73%,低于市場(chǎng)預(yù)期;執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示,2011年是晶圓代工產(chǎn)業(yè)近10年來首度在第3季出現(xiàn)負(fù)成長(zhǎng)現(xiàn)象,若只是庫存消化,或許1季時(shí)間可以解決,但關(guān)鍵問題出在終端需求和全球經(jīng)濟(jì)動(dòng)蕩,因此針對(duì)第4季景氣,還需要再觀察一段時(shí)間。
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        聯(lián)電與Cypress攜手打造65納米SONOS閃存技術(shù)

        •   聯(lián)電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術(shù),已成功產(chǎn)出有效硅芯片(working silicon),預(yù)計(jì)將于第3季正式問世;聯(lián)電不但會(huì)采用此新制程為Cypress生產(chǎn)次世代PSoC可編程系統(tǒng)單芯片、nvSRAM和其他產(chǎn)品,也可在Cypress授權(quán)協(xié)議下,將此技術(shù)提供其他公司使用。  
        • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  SONOS閃存  
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        聯(lián)電介紹

        臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺(tái)灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請(qǐng)件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺(tái)積電第三;就取得美國專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺(tái)積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]

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