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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

        CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創(chuàng)新成果

        • 中國北京,2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上,發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文,并介紹公司在該領域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業(yè)應用方面,越來越多的人則
        • 關鍵字: CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅動器  

        Cree將投資10億美元,擴大SiC(碳化硅)產能

        • 此次產能擴大,將帶來SiC(碳化硅)晶圓制造產能的30倍增長和SiC(碳化硅)材料生產的30倍增長,以滿足2024年之前的預期市場增長 5年的投資,充分利用現(xiàn)有的建筑設施North Fab,并整新200mm設備,建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產工廠 投資:4.5億美元用于North Fab;4.5億美元用于材料超級工廠(mega factory);1億美元用于伴隨著業(yè)務增長所需要的其它投入
        • 關鍵字: 碳化硅  碳化硅基氮化鎵  工廠  

        碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

        • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
        • 關鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

        國內碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功,5G芯片國產化再進一步

        • 據(jù)業(yè)內人士透露,作為蕪湖大院大所合作的重點項目,國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功,打破國外壟斷。這標志著今后國內各大芯片企業(yè)生產5G通信芯片,有望用上國產材料。
        • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  5G  

        碳化硅VS氮化鎵,寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車?

        • 在現(xiàn)實世界中,沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷,但是你每天用的電腦,手機以及電視等等,都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說,今天我們來說一下半導體產業(yè)中一個很關鍵的組成部分,那就是半導體材料。
        • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  

        重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半導體參加第二屆國際電力電子技術與應用會議

        •   11月4-7日,由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導體作為本次大會的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產品,反響熱烈?! ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會,IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來自31個國家和地區(qū)的電力電子學術界和產業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞,美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授,中國工程院院
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

        •   10月31日-11月2日,第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?;景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產業(yè)園展區(qū),展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產品。  中國電子展是電子行業(yè)的年度盛會,集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產業(yè),傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產品應用端的全產業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化,電子技術促進產業(yè)升級”為主題,共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展,共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會?!?/li>
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術研討會

        •   11月5日,在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間,來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體,參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會。  出席會議的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發(fā)團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向,
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”

        •   近日,從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊,基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果,獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”?! ∩钲谑腥瞬挪畼藩勈怯缮钲谑姓O立,旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進和舉薦人才,以增強企業(yè)科技創(chuàng)新能力,提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養(yǎng)、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵?! 』景雽w是第三代半導體領域的高新技術企業(yè),從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司,基本半導體依托廣泛的海外資源,成功引進了來自英
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

        半導體發(fā)展經歷三代變革 推動社會發(fā)展

        • 第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一,是戰(zhàn)略性新興產業(yè)的重要組成內容。
        • 關鍵字: 半導體  氮化鎵  碳化硅  

        CISSOID和泰科天潤(GPT)達成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用

        •   高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關系,將共同開展研發(fā)項目,推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領域尤其是新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用?! ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議  泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè),也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時,是高溫半導體解決方案的領導者,專為極端溫
        • 關鍵字: CISSOID  碳化硅  

        碳化硅/氮化鎵組件進入商品化 電力電子產業(yè)迎來大革命

        • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業(yè)的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
        • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  

        國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行調研基本半導體

        •   4月9日上午,國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。  基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產品,包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?! ‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定,并鼓勵公司團隊再接再厲,立足創(chuàng)新驅動,不斷發(fā)展壯大,成為中國第三代半導體產業(yè)的領軍企業(yè)?! 壹呻娐樊a業(yè)投資基金是為促進集
        • 關鍵字: 基本半導體  碳化硅  功率芯片  集成電路  

        SiC將與IGBT或MOSFET共存

        • 雖然碳化硅有成本方面的問題,但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板,尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視,將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本,又能夠保持半導體器件的優(yōu)越性能,在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代,我們認為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領域中共同發(fā)揮所長,共生共棲。
        • 關鍵字: 瑞薩,碳化硅  

        重磅消息!深圳第三代半導體研究院正式啟動

        •   3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義,將對中國乃至全球第三代半導體產業(yè)發(fā)展產生深遠影響?! 】萍疾吭辈块L、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林,廣東省委常委、深圳市委書記王偉中,深圳市委副書記、市長陳如桂,科技部高新司原司長、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
        • 關鍵字: 青銅劍科技  半導體  碳化硅  功率器件  
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        碳化硅介紹

        碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?!ぐ溥d在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術仍為眾人使用中。 性質 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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