碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

英飛凌：將為小米電動(dòng)汽車提供先進(jìn)的功率芯片

德國(guó)頂級(jí)芯片制造商熱衷于挖掘中國(guó)對(duì)特種半導(dǎo)體的需求。
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2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)91.7億美元

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報(bào)告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
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碳化硅智造升級(jí) 浪潮信息存儲(chǔ)筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來(lái)越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動(dòng)駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對(duì)碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動(dòng)原材料與設(shè)備2000億級(jí)產(chǎn)業(yè)，加快我國(guó)向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)底座，讓數(shù)字機(jī)臺(tái)、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，是我國(guó)最早實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
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Power Integrations升級(jí)你的電池管理系統(tǒng)

電池組，無(wú)疑是電動(dòng)汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動(dòng)力之源，更是決定車輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內(nèi)部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過(guò)精密的監(jiān)測(cè)和控制，以維持其長(zhǎng)久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監(jiān)控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負(fù)責(zé)操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報(bào)告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準(zhǔn)確了
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雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析S
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
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全面升級(jí)！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時(shí)代，國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

近日，包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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小米首款汽車發(fā)售，碳化硅加速前行

3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標(biāo)準(zhǔn)版，售價(jià)21.59萬(wàn)元；小米SU7 Pro版，售價(jià)24.59萬(wàn)元；小米SU7 Max版，售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時(shí)間過(guò)去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應(yīng)商也浮出水面，既有包括高通、英偉達(dá)、博世等國(guó)際供應(yīng)商，也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚(yáng)杰科技等本土供應(yīng)鏈廠商。芯片領(lǐng)域，英偉達(dá)為小米汽車提供自動(dòng)駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達(dá)兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機(jī)會(huì)

華泰證券發(fā)布研報(bào)稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì))上，華泰證券與數(shù)十家國(guó)內(nèi)外頭部半導(dǎo)體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢(shì)：1)前道設(shè)備：下游需求旺盛，國(guó)產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設(shè)備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國(guó)產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級(jí)AR終端快速增長(zhǎng)?！　∪A泰證券主要觀點(diǎn)如下：
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將達(dá)100億美元，SiC功率器件市場(chǎng)急速擴(kuò)張

SiC 市場(chǎng)的快速擴(kuò)張主要得益于電動(dòng)汽車的需求，預(yù)計(jì) 2023 年市場(chǎng)將比上年增長(zhǎng) 60%。
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意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)及應(yīng)用

服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）近日宣布與高效能電源供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商肯微科技合作，設(shè)計(jì)及研發(fā)使用ST被業(yè)界認(rèn)可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì)技術(shù)。該參考方案是電源設(shè)計(jì)數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對(duì)數(shù)位服務(wù)的需求持續(xù)成長(zhǎng)，能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對(duì)的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)適用于3k
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長(zhǎng)晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會(huì)有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂

據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動(dòng)具有重要
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