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	氮化鎵
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        日本設立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進程
        
                                                            
          
                    	
        • 　　據(jù)報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。
　　據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發(fā)進程。
　　天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
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        • 關鍵字：
                        氮化鎵  功率器件                          
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        氮化鎵（GaN）晶體管設備越薄越冷
        
                                                            
          
                    	
        • 　　伊利諾伊大學研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法
　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產生過多的熱量，這會限制他們的性能。
　　基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。
　　采用計算機輔助設計，坎·拜拉姆的團隊已經證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設備的熱預期和最終性能。

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        • 關鍵字：
                        氮化鎵  晶體管                          
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        氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
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        • 關鍵字：
                        氮化鎵  碳化硅                          
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        硅襯底氮化鎵基激光器將大幅降低器件制造成本
        
                                                            
          
                    	
        • 　　中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。
　　中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。
　　隨著半導體科技的高速發(fā)展，科技工作者發(fā)現(xiàn)基于傳統(tǒng)技術路線來進行芯片與系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)通信越來越難
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        • 關鍵字：
                        氮化鎵  芯片                          
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        氮化鎵功率技術大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產品主要的應用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產品線Transphorm公司獨特GaN技術和產品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創(chuàng)新的Cascode結構的HEMT高壓產品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術領域劍走偏鋒，成為該陣營的領頭
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        • 關鍵字：
                        富士通  氮化鎵                          
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        高級教程視頻系列教授如何使用氮化鎵（GaN）功率器件以實現(xiàn)先進的功率轉換系統(tǒng)的設計
        
                                                            
          
                    	
        • 　　宜普電源轉換公司(EPC)增加合共九個教程單元的教學視頻系列，擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術的知識庫，為功率系統(tǒng)設計工程師提供高級技術教程，包括應用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設計出更高效的功率轉換系統(tǒng)?！　〕藶楣こ處熖峁┑壘w管的設計基礎及可靠性數(shù)據(jù)外，本視頻系列教授如何把開發(fā)板轉化為實用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應用中的實用范例，包括面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的DC/DC轉換，以及關于采用氮化鎵器件的無線充電應用的兩個視頻?！　〉?GaN)高級學習視頻
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        • 關鍵字：
                        宜普  氮化鎵                          
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        氮化鎵元件將擴展功率應用市場
        
                                                            
          
                    	
        • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
　　目前銷售Ga
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        • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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        氮化鎵：開啟終極半導體商業(yè)化革命
        
                                                            
          
                    	
        • 　　上海PCIM Asia展會現(xiàn)場，氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁Girvan Patterson手持一塊用于服務器電源的集成電路板展示：“由于使用氮化鎵晶體管器件，這塊電路板的尺寸縮小到了原先的1/4。更為重要的是，它在性能、能源效率、系統(tǒng)成本等方面相比當下主流的硅基功率電子元件有了跨越式提升。”
　　被稱為“終極半導體材料”的氮化鎵研究和應用是全球半導體研究的前沿和熱點，在光電子器件和微電子器件領域市場前景廣闊。“
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        • 關鍵字：
                        氮化鎵  半導體                          
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        日本松下將量產新一代半導體：氮化鎵
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　據(jù)日經BP報道，松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導體，將于2016年春季在日本國內企業(yè)中率先量產。新一代半導體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據(jù)悉，松下目前已與日本國內外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉，新一代半導體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導體業(yè)務的戰(zhàn)略產品，松下計劃首先將向服務器電源裝置等供貨。
　　氮化鎵被稱為“終極半導體材料”，世界上僅有美國風險企業(yè)涉足。松下將在生產子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor
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        • 關鍵字：
                        松下  氮化鎵                          
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        Qorvo：關于氮化鎵的十個重要事實
        
                                                            
          
                    	
        • 　　從下一代的國防和航天應用，到有線電視、VSAT、點對點(PtP)、基站基礎設施，Qorvo的GaN(氮化鎵)產品和技術為您身邊的各種系統(tǒng)提供領先的 性能支持，讓您能夠隨時聯(lián)網(wǎng)并受到保護。這些領先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實”，真正了解這個在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關鍵技術。
　　關于氮化鎵的十個重要事實：
　　一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，
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        • 關鍵字：
                        Qorvo  氮化鎵                          
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        北美稱半導體市場未來翻倍增長 氮化鎵需求增長
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　半導體產業(yè)是整個電子信息產業(yè)鏈中最關鍵的產業(yè)之一，它為集成芯片產業(yè)、LED產業(yè)、光伏產業(yè)等產業(yè)提供關鍵性基礎材料，對整個電子信息產業(yè)影響巨大。上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進了光纖通信技術迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術產業(yè)，使人類進入了信息時代。
　　

 
　　半導體產品廣泛應用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。
　　有
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        • 關鍵字：
                        半導體  氮化鎵                          
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        安森美半導體與 Transphorm合作提供領先業(yè)界能效的基于氮化鎵(GaN)的電源系統(tǒng)方案
        
                                                            
          
                    	
        • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機、電信及網(wǎng)絡領域的各種高壓應用。
　　這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產通過授證的公司，并在這先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商，在系統(tǒng)設計具備深厚的專知和技術，提供寬廣的陣容產品，從功率分立器件
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        • 關鍵字：
                        安森美  氮化鎵  硅基器件                          
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        Veeco推出EPIK700 MOCVD系統(tǒng) 加快固態(tài)照明的普及
        
                                                            
          
                    	
        • 　　今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)，結合了該行業(yè)最高的生產率與最佳良率這兩大優(yōu)勢，運營成本低，從而進一步降低通用照明應用的發(fā)光二極管(LED)的制造成本。
　　EPIK700 MOCVD系統(tǒng)采用了Veeco大生產驗證過的TurboDisc技術，具有行業(yè)內最大的反應腔，其產能相當于目前的其它反應腔的兩倍多。反應腔的容量增加，再加上腔內波長均勻性以及生產力的提升，與之前的反應腔相比，其產量提高了
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        • 關鍵字：
                        Veeco  氮化鎵  TurboDisc                          
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        在高頻降壓轉換器的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）
        
                                                            
          
                    	
        • 我們會探討在高頻降壓轉換器使用最優(yōu)版圖并在1MHz頻率開關時可實現(xiàn)高于96%效率。降壓轉換器縱然具備最優(yōu)電...
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        • 關鍵字：
                        高頻降壓  轉換器  氮化鎵                          
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        如何使用氮化鎵:氮化鎵場效應晶體管的驅動器和版圖的考慮因素
        
                                                            
          
                    	
        • 我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應晶體管的優(yōu)勢，以及它具備可實現(xiàn)更高效率和更快開關速度的潛力，為硅MOSFET...
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        • 關鍵字：
                        氮化鎵  晶體管  驅動器                          
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