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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶體管

        三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

        •   據(jù)DigiTimes報道,三星將于2013年采用20納米技術(shù),同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造,高通的代工廠中,最出名的就是臺積電   此前,臺積電采用的是28納米技術(shù),三星采用的是32納米技術(shù)。眾所周知,晶體管是越細(xì)越好,耗能也越少,芯片體積也將更小。   可以預(yù)見,我們或?qū)⒃?013年年底或2014年年初見到采用20納米技術(shù)制造的高通芯片。另外,臺積電也是英偉達(NVIDIA)的代工廠,
        • 關(guān)鍵字: 三星  晶體管  20納米  

        科學(xué)家首次研制成功單電子半加器

        •   據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月21日報道,研究人員一直在努力降低硅基計算組件的尺度,以滿足日益增長的小規(guī)模、低能耗計算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路,它們都被用于通過控制電壓來處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項新研究中,韓國、日本和英國科學(xué)家組成的科研小組僅用5個晶體管就制造出一個半加器,它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關(guān)研究報告發(fā)表在最新一期《應(yīng)用物理快報》上。   研究人員稱,單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運算模塊,所有的邏輯電路都由眾多半
        • 關(guān)鍵字: 半加器  晶體管  CMOS  

        飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

        • 為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域,要想增強這些關(guān)鍵設(shè)計性能,設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高,同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
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        晶體管驅(qū)動負(fù)載技巧及選擇的注意事項

        • 在電子制作時,經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機等元件,發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法,效果差別很大,有的接法 ...
        • 關(guān)鍵字: 晶體管  驅(qū)動負(fù)載  注意事項  

        車載數(shù)碼相機充電適配器設(shè)計 

        • 附圖為數(shù)碼相機充電適配器電路。電路采用一對晶體管差分放大器和一級電流放大器.分別輸出恒定的電壓和要求的...
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        IBM再創(chuàng)奇跡!碳納米管邁出取代硅第一步

        •   藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們再次展示了他們雄厚的科研實力:歷史上第一次,使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝,將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi),并通過了可行性測試。多年來,人們一直期望找到一種新的材料,可以替代傳統(tǒng)芯片中的硅,從而更深入地推進半導(dǎo)體制造工藝,獲得更小、更快、更強的計算機芯片,IBM則邁出了用碳納米管在此領(lǐng)域投入商業(yè)化應(yīng)用的第一步。   作為一種半導(dǎo)體材料,碳納米管有著很多優(yōu)于硅的天然屬性,特別適合在幾千個原子的尺度上建造納米級晶體管,其中的電子也可以比硅晶體管更輕松地轉(zhuǎn)移,實現(xiàn)
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        羅姆推出最小晶體管封裝“VML0806”開始量產(chǎn)

        • 近日,日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機和數(shù)碼相機等各種要求小巧、輕薄的電子設(shè)備,開始量產(chǎn)世界最小※尺寸的晶體管封裝“VML0806”(0.8mm×0.6mm,高度0.36mm)。
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        意法半導(dǎo)體發(fā)布先進功率MOSFET系列產(chǎn)品

        • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求,瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。
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        IR推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列

        • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)動應(yīng)用,包括冰箱和空調(diào)的壓縮機。
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        二極管橋和晶體管構(gòu)建的XOR/XNOR功能

        • 在用高于常見的電源電壓(如24V)設(shè)計邏輯電路時,可以結(jié)合使用標(biāo)準(zhǔn)邏輯系列與一只穩(wěn)壓器,通過電平轉(zhuǎn)換器做接口。另外,如果邏輯并不太復(fù)雜,速度也不是非常高,可以用分立元件建立門控電路,直接用當(dāng)前電壓運行。分立
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        恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

        •   中國上海,7月30日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日宣布擴大了其超小型分立式薄型無引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前,恩智浦提供60款雙極性晶體管(BJT)和12款小信號單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品,均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm DFN塑料SMD封裝——是業(yè)界提供最小晶體管封裝(DFN1006)最豐富的產(chǎn)品組合。   新的產(chǎn)品組合
        • 關(guān)鍵字: 恩智浦  晶體管  

        晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計的影響

        •  在電路中,不管晶體管是工作在直流工作狀態(tài)還是交流工作狀態(tài),正確選擇晶體管的直流參數(shù)是很重要的。也就是說,應(yīng)根據(jù)工作環(huán)境中直流電路的工作狀態(tài)要求,對晶體管進行最基礎(chǔ)的選擇,確定晶體管的工作電壓,工作電
        • 關(guān)鍵字: 晶體管  交直流  參數(shù)  電路設(shè)計    

        分享晶體管的檢測經(jīng)驗

        •  (一)晶體管材料與極性的判別  1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中,“A”代表鍺材料PNP型管,“B”代表鍺材料
        • 關(guān)鍵字: 晶體管  檢測  經(jīng)驗    

        科銳推出S波段GaN器件

        • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W,頻率為 3.1至3.5GHz 之間,與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比,能夠提供優(yōu)越的漏極效率(接近70%)。
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        晶體管介紹

        【簡介】   晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。   半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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