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安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區(qū)
安森美攜手瑞薩打造領(lǐng)先的系統(tǒng)性能，增強(qiáng)半自動(dòng)駕駛的安全性
- 安森美 (onsemi) 宣布其Hyperlux? 圖像傳感器系列已集成到瑞薩 (Renesas) R-Car V4x 平臺(tái)，用于增強(qiáng)半自動(dòng)駕駛的視覺系統(tǒng)，進(jìn)而提高汽車的安全性。兩家公司以安全系統(tǒng)和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 為戰(zhàn)略重點(diǎn)，為汽車主機(jī)廠 (OEM) 和一級(jí)供應(yīng)商提供領(lǐng)先的傳感器性能和先進(jìn)的片上系統(tǒng) (SoC)。Hyperlux 圖像傳感器擁有 2.1 μm 像素尺寸、業(yè)界領(lǐng)先的 150dB 超高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 和減少 LED 閃爍 (LFM) 功能，耐受汽車應(yīng)用高溫，具備
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安森美韓國(guó)碳化硅工廠擴(kuò)建完工 年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片
- 安森美位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，目標(biāo)明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇傭多達(dá)1000名當(dāng)?shù)貑T工來(lái)填補(bǔ)大部分高
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安森美攜手瑞薩打造領(lǐng)先的系統(tǒng)性能,增強(qiáng)半自動(dòng)駕駛的安全性
- 安森美(onsemi)近日宣布其Hyperlux? 圖像傳感器系列已集成到瑞薩（Renesas） R-Car V4x 平臺(tái)，用于增強(qiáng)半自動(dòng)駕駛的視覺系統(tǒng)，進(jìn)而提高汽車的安全性。兩家公司以安全系統(tǒng)和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 為戰(zhàn)略重點(diǎn)，為汽車主機(jī)廠（OEM）和一級(jí)供應(yīng)商提供領(lǐng)先的傳感器性能和先進(jìn)的片上系統(tǒng) (SoC)。Hyperlux 圖像傳感器擁有 2.1 μm 像素尺寸、業(yè)界領(lǐng)先的150dB 超高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 和 減少LED 閃爍(LFM) 功能，耐受汽車應(yīng)用高溫，具備汽車應(yīng)用所需的關(guān)鍵要
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安森美韓國(guó)富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成
- 10月24日，安森美宣布其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場(chǎng)于2022年中期開始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴(kuò)建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗(yàn)
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安森美韓國(guó)富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成,年產(chǎn)能上限將突破一百萬(wàn)片
- 安森美（onsemi）近日宣布，其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅?(SiC)?超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片?200 mm SiC?晶圓。為了支持?SiC?產(chǎn)能的提升，安森美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇傭多達(dá)?1,000?名當(dāng)?shù)貑T工來(lái)填補(bǔ)大部分高技術(shù)職位；相比目前的約?2,300?名員工，人數(shù)將增加?40%?以上。碳化硅器件是電動(dòng)汽車?(EV)
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安森美半導(dǎo)體推出低功耗 Hyperlux LP 圖像傳感器：續(xù)航提升 40%
- IT之家 10 月 18 日消息，安森美半導(dǎo)體（Onsemi）近日針對(duì)家庭、辦公室場(chǎng)景下的智能門鈴、安防攝像頭、AR / VR 頭顯、機(jī)器視覺和視頻會(huì)議等應(yīng)用，推出了名為 Hyperlux LP 的低功耗圖像傳感器系列。Hyperlux LP 低功耗圖像傳感器像素尺寸為 1.4 μm，有 500 萬(wàn)、830 萬(wàn)和 2000 萬(wàn)像素三種規(guī)格，在開啟低功耗模式之后，續(xù)航最高可以提升 40%。安森美表示 Hyperlux LP 采用創(chuàng)新硅設(shè)計(jì)和像素架構(gòu)，無(wú)論是可見光，還是近紅外光下，都能提供
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攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車和工業(yè)中的應(yīng)用
- 1 SiC的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復(fù)電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，尤其是高壓大電流等應(yīng)用場(chǎng)景，主驅(qū)逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進(jìn)而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機(jī)）采用SiC，可實(shí)現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場(chǎng)向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢(shì)將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進(jìn)電源
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圖騰柱無(wú)橋PFC與SiC相結(jié)合，共同提高電源密度和效率
- 效率和尺寸是電源設(shè)計(jì)的兩個(gè)主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來(lái)越重要。為了減少無(wú)功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運(yùn)行時(shí)對(duì)交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響，需要使用 PFC。但要設(shè)計(jì)出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過(guò)修改傳統(tǒng) PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)更好地實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級(jí)通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級(jí)，由四個(gè)整流器二極管和一個(gè)升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級(jí)圖騰柱無(wú)橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還有一種提高
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們
- 如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長(zhǎng)，然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。焊接機(jī)許多現(xiàn)代化焊接機(jī)使用逆變器，而非焊接變壓器，因?yàn)橹绷鬏敵鲭娏骺梢蕴岣吆附庸に嚨目刂凭?。更多?yōu)勢(shì)還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機(jī)具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機(jī)框圖焊接逆變器常用的開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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安森美推出超低功耗圖像傳感器系列適用于智能家居和辦公室
- 安森美（onsemi）宣布推出適用于工業(yè)和商業(yè)相機(jī)的Hyperlux LP圖像傳感器系列，場(chǎng)景覆蓋智能門禁、安防攝像頭、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）/虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）/擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)（XR）頭戴裝置、機(jī)器視覺和視頻會(huì)議等。此傳感器系列基于1.4 μm 像素，提供業(yè)界領(lǐng)先的圖像質(zhì)量和低功耗，同時(shí)大幅提高圖像性能，即使在惡劣的照明條件下也能捕獲清晰、生動(dòng)的圖像。此產(chǎn)品系列還采用堆疊式架構(gòu)設(shè)計(jì)，能最大限度地減少產(chǎn)品體積，最小型號(hào)小如一粒米，成為受尺寸限制困擾的緊湊型設(shè)備的理想選擇?？蛻艨梢愿鶕?jù)使用情況，選用500萬(wàn)分辨率的AR0
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基于onsemi NCP1618多模式PFC 500W設(shè)計(jì)方案
- 近年來(lái)隨著應(yīng)用技術(shù)不斷推陳出新，造就終端應(yīng)用的功率需求越來(lái)越大，例如:5G網(wǎng)通電源供應(yīng)器、ATX/Gaming電源供應(yīng)器等等，功率消耗大于一程度時(shí)電源供應(yīng)器就要有功率因數(shù)校正(Power Factor Correction, PFC)的功能，以歐盟EN61000-3-2規(guī)范要求，所有電子產(chǎn)品輸入功率大于75W時(shí)，其電源供應(yīng)都需要有功率因數(shù)校正的機(jī)能。另外，在規(guī)格要求也越來(lái)越嚴(yán)苛，以往可能只要求滿載下效率與功率因數(shù)PF值等，目前會(huì)要求在某負(fù)載范圍下效率都要達(dá)到一定的程度，且PF值也要達(dá)到一定的數(shù)
- 關(guān)鍵字： onsemi power 安森美 NCP1618 Multi-mode PFC ATX power Gaming power Networking 電競(jìng)電源 網(wǎng)通電源
一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理
- 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、直流快速充電、儲(chǔ)能電站、不間斷電源和太陽(yáng)能發(fā)電。這些應(yīng)用有一點(diǎn)非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級(jí)解決方案。就汽車而言，輕量化是為了增加續(xù)航里程，而在太陽(yáng)能應(yīng)用中，這是為了限制太陽(yáng)能設(shè)備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動(dòng)力總成，其中顯示了逆變器半導(dǎo)體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導(dǎo)體器件（IGBT /
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SiC器件如何顛覆不間斷電源設(shè)計(jì)?
- 不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設(shè)施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和其他關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。憑借先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，這些系統(tǒng)能夠確?？煽抗╇姡峁V波功能，并在發(fā)生短期電網(wǎng)斷電時(shí)保障供電。對(duì)于更長(zhǎng)時(shí)間的停電，這些系統(tǒng)可以提供足夠的時(shí)間讓關(guān)鍵設(shè)備安全地關(guān)閉。 UPS的設(shè)計(jì)要項(xiàng)一文中，我們帶大家了解了UPS的使用用例與具體產(chǎn)品規(guī)格，本文將從SiC器件的角度出發(fā)，幫助您設(shè)計(jì) UPS 或其他電池儲(chǔ)能系統(tǒng)。SiC正在推動(dòng)革命碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品，即所謂的寬禁帶產(chǎn)品，可以
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基于onsemi AP0200AT+AR0147AT的車載以太網(wǎng)攝像頭方案
- 此方案采用onsemi AP0200AT ISP芯片結(jié)合AR0147AT車規(guī)影像傳感器，應(yīng)用于車載以太網(wǎng)攝像頭; AP0200AT 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器，能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬(wàn)像素高動(dòng)態(tài)范圍 （HDR） 傳感器的靈活攝像頭平臺(tái)。 傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn)，能夠重用電路板設(shè)計(jì)，進(jìn)入市場(chǎng)快，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。 傳感器性能由于減少了一個(gè)單獨(dú)協(xié)處理器芯片的發(fā)熱而得以提高，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)高性能功能。 AP0200AT 提供以太網(wǎng)輸出，最高可支持 2 百萬(wàn)像素傳感器。 它包
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
- 如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車 (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過(guò)，SiC 的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。保護(hù)電力基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備輸配電系統(tǒng)以及靈敏設(shè)備都需要妥善的保護(hù)，以防因?yàn)殚L(zhǎng)時(shí)間過(guò)載和瞬態(tài)短路情況而受到損壞。隨著電力系統(tǒng)和電動(dòng)汽車使用的電壓越來(lái)越高，可能的最大故障
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安森美介紹
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國(guó)亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]
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