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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當認識到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
- 關(guān)鍵字: 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計
- 航天用DC/DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下,輻射損傷是其主要失效機理。DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性,國內(nèi)外廣泛研究了DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
- 關(guān)鍵字: DC 預(yù)兆 單元 設(shè)計 輻射 轉(zhuǎn)換器 器件 損傷 VDMOS DC/DC轉(zhuǎn)換器
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