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        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

        東芝推出高速導(dǎo)通小型光繼電器,可縮短半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的測(cè)試時(shí)間

        • 芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。新型光繼電器通過(guò)提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測(cè)器(光電二極管陣列)的設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合,將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝
        • 關(guān)鍵字: 東芝  光繼電器  半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備  

        東芝推出適用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中高頻信號(hào)開(kāi)關(guān)的小型光繼電器

        • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號(hào)中的插入損耗,并抑制功率衰減[1],適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸?shù)陌雽?dǎo)體測(cè)試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。TLP3475W采用了東芝經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì),這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信號(hào)的傳輸特性提高到20GHz(典型值)[2]——與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3475S相比,插入損耗降低了約1/3[2]。TL
        • 關(guān)鍵字: 東芝  半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備  高頻信號(hào)開(kāi)關(guān)  光繼電器  

        研華模塊化電腦與登臨GPU加速卡完成產(chǎn)品互認(rèn)證

        • 導(dǎo)讀:研華基于Intel第12代酷睿(Alder Lake-S)平臺(tái)的模塊化電腦產(chǎn)品SOM-C350與登臨創(chuàng)新通用GPU系列加速卡Goldwasser(高凜)完成適配和互認(rèn)證。相關(guān)產(chǎn)品在系統(tǒng)測(cè)試及驗(yàn)證過(guò)程中,表現(xiàn)出優(yōu)越的系統(tǒng)穩(wěn)定性且各項(xiàng)性能特征均滿(mǎn)足用戶(hù)的關(guān)鍵應(yīng)用需求。 隨著大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,AI在智慧城市、智慧醫(yī)療及智慧工廠等各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越普遍,AI技術(shù)已經(jīng)成為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化升級(jí)的關(guān)鍵。應(yīng)市場(chǎng)的發(fā)展和需求,深耕于物聯(lián)網(wǎng)多年的研華與國(guó)內(nèi)GPU知名企業(yè)登臨開(kāi)展合作,積極發(fā)揮各自?xún)?yōu)勢(shì),為客
        • 關(guān)鍵字: 研華  研華嵌入式  模塊化電腦  COM-HPC  登臨  GPU加速卡  AI  高端醫(yī)療  高端自動(dòng)化設(shè)備  半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備  視頻影像  無(wú)人駕駛  

        東芝小型光繼電器: 高速導(dǎo)通助力縮短半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的測(cè)試時(shí)間

        • 中國(guó)上海,2023年5月25日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器——“TLP3476S”,其導(dǎo)通時(shí)間與東芝當(dāng)前產(chǎn)品TLP3475S相比縮短了一半。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。與東芝當(dāng)前的產(chǎn)品TLP3475S相比,TLP3476S運(yùn)行速度更快、結(jié)構(gòu)更緊湊。該產(chǎn)品通過(guò)提高紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測(cè)器件(光電二極管陣列)的設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合,也提高了運(yùn)行速度,將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至0.25ms,時(shí)間為T(mén)LP3475S的一半。此外,由于采用
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        半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備介紹

        您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的理解,并與今后在此搜索半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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