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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導體材料

        中國光伏產(chǎn)業(yè)受硅漲價打擊風光不再

        •   編者按:德國最大太陽能企業(yè)Conergy公司今年將出現(xiàn)1.5億~2億歐元稅前虧損,對于中國光伏產(chǎn)業(yè)來說,到底傳遞了怎樣的信息?中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展除了需要企業(yè)自身向上游挺進,還需要哪些政策的支持?   “中國的太陽能公司境況也好不了太多,行業(yè)新一輪洗牌為時不遠。”針對德國最大太陽能企業(yè)Conergy公司今年將出現(xiàn)1.5億~2億歐元稅前虧損的消息,寧波太陽能公司一位高層昨日在接受《第一財經(jīng)日報》采訪時表示。   行業(yè)利潤急劇降低   隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,作為太陽能電池板主要原料的多晶硅價格,從2
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        可關(guān)斷晶閘管(GTO)

        •   門極可斷晶閘管(gate turn-off thyristor,GTO)是一種具有自斷能力的晶閘管。處于斷態(tài)時,如果有陽極正向電壓,在其門極加上正向觸發(fā)脈沖電流后,GTO可由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài),已處于通態(tài)時,門極加上足夠大的反向脈沖電流,GTO由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)。由于不需用外部電路強迫陽極電流為0而使之關(guān)斷,僅由門極加脈沖電流去關(guān)斷它;所以在直流電源供電的DC—DC,DC—AC變換電路中應用時不必設置強迫關(guān)斷電路。這就簡化了電力變換主電路,提高了工作的可靠性,減少了關(guān)斷損耗,與SCR相比還可以提高電力電子變換的
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        晶閘管(SCR)原理

        •   晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡稱,俗稱可控硅(SCR),其正式名稱應是反向阻斷三端晶閘管。除此之外,在普通晶閘管的基礎上還派生出許多新型器件,它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor,F(xiàn)ST)、反向?qū)ǖ哪鎸Ьчl管(reverse conducting thyristor,RCT)、兩個方向都具有開關(guān)特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門極可以自行關(guān)斷的門極可關(guān)斷晶閘管(gate turn off thyristor,GTO)、門極輔助關(guān)斷晶閘管(g
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        IGBT的保護

        •   將IGBT用于變換器時,應采取保護措施以防損壞器件,常用的保護措施有:   (1) 通過檢出的過電流信號切斷門極控制信號,實現(xiàn)過電流保護;   (2) 利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt;   (3) 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫,當超過允許溫度時主電路跳閘,實現(xiàn)過熱保護。   下面著重討論因短路而產(chǎn)生的過電流及其保護措施。   前已述及,IGBT由于寄生晶閘管的影響,當流過IGBT的電流過大時,會產(chǎn)生不可控的擎住效應。實際應用中應使IGBT的漏極電流不超過額定電流,以避免出現(xiàn)擎住現(xiàn)
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        西安半導體業(yè):抓住市場熱點 完善產(chǎn)業(yè)體系

        •   西安是我國重要的半導體產(chǎn)業(yè)基地之一。雖然遠離沿海,但西安仍快速抓住了市場熱點,在“十一五”期間,西安在集成電路產(chǎn)業(yè)方面進行錯位發(fā)展,將重點集中在設計、設備、材料及導航業(yè)上。   多款自主創(chuàng)新芯片量產(chǎn)   西安的第一個錯位發(fā)展領域是集成電路設計業(yè)?!耙驗樵O計是一個智力型產(chǎn)業(yè),西安在這方面的資源非常有優(yōu)勢?!标兾骷呻娐沸袠I(yè)協(xié)會秘書長藺建文介紹了其中的原因,“在這方面,我們要發(fā)展一些高端的、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新產(chǎn)品,這是我們這幾年花精力比較多的方面?!苯?jīng)過幾年的發(fā)展,目前,設計業(yè)已初具規(guī)模。   
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        iSuppli:07年中國半導體市場收入將增15%

        •   據(jù)外電報道,市場研究公司iSuppli稱,由于第三季度強勁增長,中國半導體市場2007年的銷售收入將達到iSuppli預測的15%的增長率。   iSuppli稱,中國半導體市場2007年的銷售收入預計將從2006年的450億美元增長到520億美元。這標志著中國半導體市場的年收入首次突破500億美元。   iSuppli中國研究機構(gòu)的高級分析師Horse Liu稱,第三季度中間市場的強勁需求幫助半導體廠商實現(xiàn)了銷售收入目標。同時,盡管人民幣升值和石油價格上漲,中國電子產(chǎn)品出口仍然顯著增長。   
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        功率場效應晶體管(MOSFET)原理

        •   功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率可高達500kHz,特別適于高頻化電力電子裝置,如應用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小,耐壓低,一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場效應管的結(jié)構(gòu)和工作原理   電力場效應晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種,按導電溝道可分為P溝道和N溝道,同時
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        全球太陽能行業(yè):硅料供需知多少

        •   對太陽能電池行業(yè)供需形勢的判斷需要了解供給和需求兩個方面,尤其是多晶硅的供給量。未來多晶硅供應增量包括三部分:傳統(tǒng)大廠的擴產(chǎn)、新進入廠商的產(chǎn)量、物理法等新技術(shù)增加的產(chǎn)量。傳統(tǒng)大廠太陽能級硅料產(chǎn)能在2008年翻番,2010年達到40350噸;物理法、FBR等新技術(shù)的計劃年產(chǎn)能也已經(jīng)超過1萬噸;包括中國、俄羅斯、西班牙等國的新廠計劃產(chǎn)能也超過20000噸,可靠產(chǎn)能超過6000噸。   硅料供應緊張有望緩解   由硅料供應可以判斷太陽能行業(yè)供給狀況。太陽能電池根據(jù)原料來源可以分為三類:太陽能級多晶硅制造
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        多晶硅技術(shù)有瓶頸 太陽能發(fā)電短期難大用

        •   太陽能是最大的無污染可再生能源,它取之不盡,用之不竭,是今后人類能源利用的重點。但目前太陽能發(fā)電只占可再生能源5‰,居四大可再生能源的末位。這主要在于生產(chǎn)太陽能電池多晶硅的改良西門子法耗電量太大,而正在探索中的冶金物理法技術(shù)尚不成熟。這需要我國科技工作者加快研發(fā)步伐,以期在研制太陽能電池方面取得突破性進展。   太陽能基地電能輸送是難題   太陽能是無污染的巨大能源。太陽每秒照射到地球上的能量相當于500億噸煤,比目前全人類的能耗量還大3.5萬倍。太陽內(nèi)部的核聚變可以維持幾百億年,相對于人類的有限
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        分析:今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)前景不容樂觀

        •   市場調(diào)研公司Gartner日前降低了對今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)的增長預測。它警告稱,隨著該產(chǎn)業(yè)走向32納米工藝技術(shù),處境只會變得越發(fā)困難。分析師在日前召開的年度吹風會上表示,該產(chǎn)業(yè)明年仍可能陷入衰退,取決于宏觀經(jīng)濟方面的一些因素。另外,Gartner發(fā)布了2007年的初步市場份額數(shù)據(jù),顯示東芝、高通和海力士半導體是最大的贏家,而AMD、飛思卡爾和IBM則是最大的輸家。   “該市場趨于成熟,到了該進一步整合的時候,”Gartner的半導體研究副總裁BryanLewis表示,“如果你不具備一定的規(guī)模或者增加
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        晶閘管的保護措施

        • 1、 過電壓保護   晶閘管對過電壓很敏感,當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發(fā)電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。   過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化,使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換,或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾
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        絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

        • 一、IGBT的工作原理   電力MOSFET器件是單極型(N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電)、電壓控制型開關(guān)器件;因此其通、斷驅(qū)動控制功率很小,開關(guān)速度快;但通態(tài)降壓大,難于制成高壓大電流開關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型(其中,電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導電)、電流控制型開關(guān)器件;因此其通-斷控制驅(qū)動功率大,開關(guān)速度不夠快;但通態(tài)壓降低,可制成較高電壓和較大電流的開關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點,棄其缺點,20世紀80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機制相結(jié)合的新一代半導
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        功率MOSFET的保護

        •   功率MOSFET的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞,柵源間電壓不得超過
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        安森美半導體高效電源管理技術(shù)助力節(jié)能環(huán)保

        •   當今社會,能源危機和環(huán)境污染已經(jīng)成為世界各國共同面臨的兩大難題。隨著人們環(huán)保和節(jié)能意識的增加,低功耗設計越來越受到廠商、消費者和各國政府的關(guān)注,高能效的電源設計將成為市場的主導。并且,電源設計周期加快、低待機能耗、高能效以及減少占位面積的要求正在改變傳統(tǒng)的電源設計方法,推動電源管理設計的創(chuàng)新。無論是客觀環(huán)境,還是人們的主觀意識上,“環(huán)保節(jié)能型”設計已是電源管理市場發(fā)展的大趨勢。   “環(huán)保節(jié)能型”設計的需求在給半導體產(chǎn)業(yè)帶來巨大機遇的同時,也帶來了重大挑戰(zhàn)。在滿足政府及相關(guān)組織提出的節(jié)能環(huán)保標準和規(guī)
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        2006-2011年亞洲半導體生產(chǎn)每年遞增10.8%

        •   據(jù)市場研究公司In-Stat最新發(fā)表的研究報告稱,亞洲半導體制造行業(yè)一直在快速提高生產(chǎn)能力,這種趨勢在未來幾年還將繼續(xù)下去。這篇研究報告預測稱,亞洲半導體生產(chǎn)能力從2006年至2011年的復合年增長率為10.8%。   分析師稱,隨著集成設備廠商外包的增長,純代工廠商將越來越重要。純代工廠商在開發(fā)領先的工藝技術(shù)方面將保持領先的地位。亞洲地區(qū)DRAM內(nèi)存和閃存生產(chǎn)能力也將強勁增長。這篇報告的要點包括:   
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        半導體材料介紹

        半導體材料(semiconductor material) 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導體。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料,其電導率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導體材料的電學性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感,在半導體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導率。正是利用半導體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣 [ 查看詳細 ]

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