共源共柵 文章 進入共源共柵技術(shù)社區(qū)
碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構(gòu)，更對關(guān)鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實踐應用的完整技術(shù)指引。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應晶體管（SiC JFET）相比其
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應用的痛點
- 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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