光刻 文章 進(jìn)入光刻技術(shù)社區(qū)
SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場預(yù)計可達(dá)33.5億美元規(guī)模
- 技術(shù)問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn)，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運(yùn)而生，但卻僅有部份的客戶會轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點(diǎn)，既能進(jìn)行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。 SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場提供詳細(xì)的分析，并以全球七個主要地區(qū)，包括北美、日本、歐洲、臺灣、
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2012-2013年中國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)進(jìn)入壁壘分析
- 1、技術(shù)壁壘 半導(dǎo)體分立器件的研發(fā)生產(chǎn)過程涉及量子力學(xué)、微電子、半導(dǎo)體物理、材料學(xué)等諸多學(xué)科，需要綜合掌握外延、微細(xì)加工、封裝等多領(lǐng)域技術(shù)工藝，并加以整合集成，屬于技術(shù)密集型行業(yè)。隨著下游電子產(chǎn)品的升級換代，電子產(chǎn)品呈現(xiàn)多功能化、低能耗、體積輕薄的發(fā)展趨勢，新產(chǎn)品、新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)，對半導(dǎo)體分立器件的制造封裝工藝等方面提出了更高的技術(shù)要求，同時半導(dǎo)體分立器件差別化應(yīng)用領(lǐng)域的快速拓展，光伏、智能電網(wǎng)、汽車電子、LED照明等跨領(lǐng)域的產(chǎn)品需求，對生產(chǎn)廠商專用半導(dǎo)體分立器件的配套設(shè)計能力也提出了更高的要
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SUSS MicroTec收購Tamarack Scientific公司
- SUSS MicroTec，宣布收購位于美國加州科羅娜的Tamarack Scientific公司。兩家公司已經(jīng)簽署相應(yīng)的收購協(xié)議。協(xié)議約定，SUSS MicroTec以總價934萬美元外加盈利能力，收購100%的Tamarack公司股份，額外的盈利能力主要取決于Tamarack公司未來三個財年收入的增長情況。 市場對更多功能和更高性能電子設(shè)備需求日益增長，進(jìn)一步推動對更高性能、更高復(fù)雜度半導(dǎo)體元件的需求。這種趨勢將在不久的將來顯現(xiàn)出來，促使半導(dǎo)體后道工藝采用創(chuàng)新技術(shù)。在過去兩年里，SUSS M
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李長春在吉林華微調(diào)研時稱模擬器件行業(yè)很有前途
- 2011年8月26日，中共中央政治局常委李長春來華微電子調(diào)研。18時45分，中共中央政治局常委李長春一行來到華微電子六英寸新型功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線(即芯片四部)門前，在公司夏增文董事長的陪同下參觀了該生產(chǎn)線。李長春首先觀看了設(shè)置在該生產(chǎn)線一樓大廳內(nèi)的企業(yè)文化宣傳板，隨后深入生產(chǎn)車間，身穿白色的防塵服，先后參觀了擴(kuò)散工序、PVD區(qū)、光刻工序和中測工序，詳細(xì)了解了芯片制造工藝及流程、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)規(guī)模、市場前景及公司發(fā)展目標(biāo)等情況。
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MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度
- 美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對比分析
- 臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方 面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)(至少從對外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺積電的28nm制 程則有HKMG和傳統(tǒng)的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對待450mm技術(shù)的態(tài)度也不相同，臺積電是450mm的積極推進(jìn)者， 而Globalfoundries及其IBM制造技術(shù)聯(lián)盟的伙伴們則對這項(xiàng)技術(shù)鮮有公開表
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HamaTech接到幾十份MaskTrack Pro設(shè)備訂單
- SUSS MicroTec AG的全資子公司HamaTech APE GmbH & Co. KG近日宣布，已接到幾十份MaskTrack Pro設(shè)備訂單。MaskTrack Pro于2009年投產(chǎn)，是用于下一代光刻領(lǐng)域的完整掩膜流程平臺。 對于亞22nm 193nm浸沒式光刻、EUVL深紫外光刻、NIL接觸式納米壓印技術(shù)等先進(jìn)光刻工藝的掩膜版，MaskTrack Pro是目前已知唯一可以實(shí)現(xiàn)清洗、烘烤和顯影步驟的設(shè)備。MaskTrack Pro結(jié)合物理和化學(xué)清洗技術(shù)，能有效去除有機(jī)和無機(jī)
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Sokudo早餐會上論光刻技術(shù)趨勢
- 在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實(shí)現(xiàn)22nm的各類光刻技術(shù)的進(jìn)展、挑戰(zhàn)與未來市場前景進(jìn)行了熱烈的討論。 作為193nm光刻技術(shù)的接替者，ASML仍是全球EUV(遠(yuǎn)紫外光光刻機(jī)) 技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司的首臺NXE3100機(jī)器將如期發(fā)貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術(shù)中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術(shù)的主要挑戰(zhàn)。另外，為了達(dá)到工業(yè)使用指標(biāo)急需投入大筆資金。 Nikon指出它仍繼續(xù)采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數(shù)值孔徑)
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Global Foundries宣布2015年將在15nm制程節(jié)點(diǎn)正式啟用EUV光刻技術(shù)
- 在最近召開的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點(diǎn)開始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。 Global Foundries 公司負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的高級副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開始在這家工廠部署EUV光刻設(shè)備，按之前 Global Foundries公布的計劃，這個時間點(diǎn)大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設(shè)備廠商ASML公司也將于這個時間點(diǎn)開始上市EUV光刻設(shè)備。 由
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Intel展示新材料 極紫外光刻走向?qū)嵱?/a>
- 新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。 Intel公司內(nèi)部一直在用微曝光設(shè)備(MET)對各種不同材料進(jìn)行試驗(yàn)和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低
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美科學(xué)家設(shè)計出簡便快速的納米電線制造方法
- 美科學(xué)家設(shè)計出簡便快速的納米電線制造方法，只需加熱即可將氧化石墨烯轉(zhuǎn)為導(dǎo)電物質(zhì) 據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)6月10日報道，美國一聯(lián)合研究小組稱，他們在利用石墨烯制造納米電路領(lǐng)域獲得了突破：設(shè)計出了簡便、快速的納米電線制造方法，能夠 調(diào)諧石墨烯的電學(xué)特征，使氧化石墨烯從絕緣物質(zhì)變成導(dǎo)電物質(zhì)。這被認(rèn)定為石墨烯電子學(xué)領(lǐng)域的一項(xiàng)重要發(fā)現(xiàn)，相關(guān)研究報告發(fā)表在6月11日出版的《科學(xué)》雜 志上。 納米電路的研究人員之所以對于石墨烯的研究頗具熱忱，是因?yàn)榕c硅相比，電子在石墨烯內(nèi)移動時會受到更小的阻力，而硅晶體管
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光刻介紹
光刻 利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來，并開始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]
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