3月7日消息，近日，綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報道，SK海力士在內部宣布將關閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門，該團隊的員工將轉崗至AI存儲器領域。SK海力士稱其CIS團隊擁有僅靠存儲芯片業(yè)務無法獲得的邏輯制程技術和定制業(yè)務能力。存儲和邏輯半導體高度融合的趨勢下，將CIS團隊和存儲部門聚合為一個整體，才能進一步提升企業(yè)的AI存儲器競爭力。
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SK海力士將于2025年3月（協議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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2月28日消息，SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內存LPDDR5M，其數據傳輸速率與現有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實現了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術突破預計將廣泛應用于具備設備端AI功能的智能手機中，使其在本地運行密集型操作時消耗更少的電量，從而滿足設備制造商對高效能、低功耗的需求。業(yè)內人士推測，SK海力士最快將于年內推出LPDDR5M產品。與此同時，SK海力士在高帶寬內存（HBM）領域的研發(fā)也取得了重要進展
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2月17日消息，據韓國媒體報道，韓國半導體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導體電子設計自動化（EDA）軟件，以應對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導體公司使用中國軟件，業(yè)界人士透露，SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”，是芯片設計和制造過程中不可或缺的工具，用于模擬各種電路設計并預測結果。目前，EDA市場主要由美國公司主導，包括新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）和Siemens EDA，這些公司的市場占有率
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2月16日消息，據調研機構Counterpoint的最新報告，全球半導體市場（包括存儲產業(yè)）在2024年預計將實現強勁復蘇，全年營收同比增長19%，達到6210億美元。這一增長主要得益于人工智能技術需求的大幅增加，尤其是內存市場和GPU需求的持續(xù)推動。從廠商來看，三星電子以11.8%的市場份額位居全球第一，隨后分別是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特爾（4.9%）、美光（4.8%）、英偉達（4.3%）、AMD（4.1%）、聯發(fā)科（2.6%）和西部數據（2.5%）。需要注意的是，此
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據報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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2月13日消息，據報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產計劃。其中三星在去年末已經決定削減西安工廠的NAND閃存產量，減少10%以上，另外還調低了韓國華城12號和17號生產線的產量，以進一步降低整體產量。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步
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全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
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2024財年全年營收為66.1930萬億韓元，營業(yè)利潤為23.4673萬億韓元，凈利潤為19.7969萬億韓元·2024年第四季度營收為19.7670萬億韓元，營業(yè)利潤為8.0828萬億韓元，凈利潤為8.0065萬億韓元·隨著HBM、eSSD等面向AI的存儲器銷售增長，營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)下了季度和年度歷史新高·“以差別化的AI應用產品競爭力、盈利為主的經營活動，證實了穩(wěn)定盈利的可能性”2025年1月23日，SK海力士發(fā)布截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告。公司2024財年營業(yè)收入為
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據韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產品認證，連續(xù)多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產。據了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產品群，進一步鞏固其在內存市場的領先地位。
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1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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1 月 3 日消息，SK 海力士今日宣布將參加于當地時間 1 月 7 日至 10 日在美國拉斯維加斯舉行的“國際消費電子產品展覽會（CES 2025）”，屆時展示面向 AI 的存儲器技術實力。據了解，SK 海力士將在 CES2025 展出 HBM、企業(yè)級固態(tài)硬盤等面向 AI 的代表性存儲器產品，也將展示專為端側 AI 優(yōu)化的解決方案和下一代面向 AI 的存儲器產品。目前，該公司已率先實現量產并向客戶供應 12 層第五代 HBM（HBM3E），在此展會將展出公司去年 11 月宣布開發(fā)完成的 16 層第五代
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華為Mate 70系列旗艦手機12月4日正式開賣，研究公司TechInsights拆解后發(fā)現，該款手機采用南韓SK海力士制造內存芯片，主因在于美國禁止對中國大陸出口先進芯片制造設備，而大陸制造的內存芯片選擇受限?！赌先A早報》報導，根據TechInsights的分析，華為Mate 70 Pro手機搭載SK海力士12GB低功耗行動DRAM及512GB NAND，高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東（Jeongdong
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12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
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