新日本無(wú)線開(kāi)發(fā)完成了設(shè)有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1135MD7，并開(kāi)始發(fā)放樣品。該產(chǎn)品最適用于帶有CMOS RF-IC※1的800MHz/1900MHz頻段CDMA模式手機(jī)。

　　近年來(lái)，為了降低手機(jī)成本，RF-IC的CMOS化在不斷地進(jìn)步。以往的低噪聲放大器內(nèi)置于RF-IC內(nèi)，但是CMOS很難構(gòu)成高性能的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。

　　因此，要通過(guò)CMOS工藝來(lái)降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1135MD7就是能滿足這種要求的設(shè)有旁通電路低噪聲放大器。用于800MHz/1900MHz頻段的 CDMA模式手機(jī)終端。

　　NJG1135MD7是由低噪聲放大電路?旁通電路?控制用邏輯電路來(lái)構(gòu)成的。使用高性能HJ FET工藝，實(shí)現(xiàn)了高線形性(IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz)。

　　另外，為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強(qiáng)磁場(chǎng)輸入時(shí)所造成的放大器視失真，設(shè)置了不經(jīng)過(guò)放大電路的旁通模式(Low gain模式)，并且讓內(nèi)置的低噪聲放大電路處于待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了低耗電流化。

　　NJG1135MD7采用超小超薄EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.) 封裝，節(jié)省了裝載電路板的空間的同時(shí)，又符合了無(wú)鉛無(wú)鹵化物標(biāo)準(zhǔn)，為減輕環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。

　　具有高線形特性?低消耗電流?節(jié)省空間特點(diǎn)的NJG1135MD7，實(shí)現(xiàn)了800MHz/1900MHz頻段CDMA用無(wú)線電路部RF-IC的CMOS化，并為手機(jī)低價(jià)格作出了貢獻(xiàn)。

※1 無(wú)線頻段信號(hào)處理IC

NJG1135MD7具有以下特征，最適用于800MHz/1900MHz頻段的CDMA模式手機(jī)。

1、具有高線形性，實(shí)現(xiàn)了IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz (High gain模式時(shí))
2、High gain mode和Low gain mode可切換。
3、Low Gain模式時(shí)，實(shí)現(xiàn)了30μA(typ.)的低消耗電流。
4、采用小型封裝，為節(jié)省空間作出了貢獻(xiàn)。
5、內(nèi)置保護(hù)元件，用HBM(Human Body Model)方法，實(shí)現(xiàn)了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓

產(chǎn)品開(kāi)發(fā)一覽


產(chǎn)品性能及特點(diǎn)概要

●低工作電壓+2.8V typ.
●低切換電壓     +1.8V min.
[high gain 模式]
●高輸入IP3+10dBm typ.@ f=880MHz
+8dBm typ.@ f=1960MHz
●高增益+16dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
●低噪聲指數(shù)1.4dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
[low gain 模式]
●低消耗電流30uA typ.
●高輸入IP3+19dBm typ.@ f=880MHz
+17dBm typ.@ f=1960MHz
●超小超薄封裝  EQFN14-D7  ( 1.6x1.6x0.397mm typ,無(wú)鉛無(wú)鹵化物)

生產(chǎn)計(jì)劃／樣品價(jià)格

　　新日本無(wú)線從2009年1月開(kāi)始發(fā)放NJG1135MD7樣品，預(yù)計(jì)從2009年2月投產(chǎn)后月產(chǎn)30萬(wàn)個(gè)。樣品價(jià)格為100日元。
以上