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        準諧振反激式電源設計之探討(05-100)

        —— 準諧振反激式電源設計之探討
        作者:飛兆半導體公司功率設計中心應用工程師 Carl Walding 時間:2009-02-20 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          低成本和高可靠性是離線設計中兩個最重要的目標。 (Quasi resonant) 設計為設計人員提供了可行的方法,以實現(xiàn)這兩個目標。技術降低了MOSFET的開關損耗,從而提高可靠性。此外,更軟的開關改善了的EMI特性,允許設計人員減少使用濾波器的數(shù)目,因而降低成本。本文將描述架構背后的理論及其實施,并說明這類反激式的使用價值。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/91455.htm

          基本知識

          “準”(quasi)是指有點或部分的意思。在實現(xiàn)準諧振的設計中,現(xiàn)有的L-C 儲能(L-C tank) 電路正戰(zhàn)略性地用于PWM電源中。結果是L-C 儲能電路的諧振效應能夠“軟化”開關器件的轉換。這種更軟的轉換將降低開關損耗及與硬開關轉換器相關的EMI。由于諧振電路僅在相當于其它傳統(tǒng)方波轉換器的開關轉換瞬間才起作用,故而有 “準諧振”之名。

          要理解這種設計的拓撲結構,必須了解MOSFET和變壓器的寄生特性。MOSFET包含若干個寄生電容,主要從器件的物理結構產(chǎn)生。它們可以數(shù)學方式簡化為MOSFET輸入電容CISS,和MOSFET輸出電容COSS,這里

          CISS = CGS + CDG

          COSS = CDS + CDG

          

         

         

          圖1 MOSFET輸入和輸出電容

          在硬開關轉換器中,輸出電容COSS是開關損耗的主要來源。

          變壓器也包含了寄生電容。這些電容包括繞組間電容和層間電容,它們可以一起轉型為單一的電容CW,也是硬開關轉換器開關損耗的主要來源。


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        關鍵詞: 飛兆 電源 準諧振

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