新日本無線已開發(fā)完成了最適用于1SEG信號用調(diào)諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現(xiàn)開始樣品供貨。 

　　近年來，手機和車載導航等能接收1SEG信號產(chǎn)品在不斷地增加，因終端接收信號靈敏度不足，故具有高增益／高線性／低噪聲的高性能LNA是市場需要。新日本無線為滿足這種市場需求，開發(fā)了NJG1134HA8（08年3月27日發(fā)表）。NJG1129MD7就是為了滿足市場所求的更高靈敏度，所開發(fā)了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。 

　　該產(chǎn)品是可支持470～770MHz寬頻帶的LNA，采用W-CDMA用LNA的設計技術，增益可達到15dB typ.（@ f=470～770MHz）（而NJG1134HA8:10dB typ.(@ f=470～770MHz)）
并且該產(chǎn)品用GaAs HEMT程序，實現(xiàn)了高線性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)和低噪聲(NF=1.4dB typ.)。 

　　另外，為防止離廣播電臺較近地區(qū)等強磁場輸入時所導致的放大器失真，設有不經(jīng)過內(nèi)置LNA的旁通模式（Low gain模式），實現(xiàn)了低失真(P-1dB(IN)=+12.0dBm IP3=+20.0dBm typ.)
配備高增益和旁通模式，可以穩(wěn)定地接受信號的NJG1129MD7是最適用于手機和車載等配有1SEG調(diào)諧器模塊機器。

NJG1129MD7具以下特性，最適于內(nèi)置1SEG接收器的小型便攜式終端。

1. 通過旁通性能，在強磁場下也能接受穩(wěn)定信號。
2. 具有低噪聲（NF=1.4dBtyp.）特性，有助于提高接受信號的靈敏度。
3. 用GaAs HEMT程序，達到了高線性（P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.）
4. 內(nèi)置ESD保護元件，對ESD具有高耐壓特性。

產(chǎn)品開發(fā)一覽

產(chǎn)品性能及特點概要
? 寬帶:　　　　　　470～770MHz
? 工作電壓:　　　　2.8V typ.
? 小型封裝:　　　　EQFN14-D7（Package size:1.6mm×1.6mm×0.397mm typ.）
? 內(nèi)置ESD保護元件
【High gain模式】
? 低消耗電流:　　　　　5.0mA typ.
? 低切換電流:　　　　　5μA typ.
? 增益:　　　　　　　　15dB typ.@ f=470～770MHz
? 低噪聲:　　　　　　　1.4dB typ.@ f=470～770MHz
? 高輸入P-1dB(IN):　　-6.0dBm typ.@ f=470～770MHz
? 高輸入IP3:　　　　　+1.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-25dBm
【Low gain模式】
? 低消耗電流:           16μA typ.
? 增益:　　　　　　　　 -4dB typ.@ f=470～770MHz
? 高輸入P-1dB(IN):　　+12.0 dBm typ.@ f=470～770MHz
? 高輸入IP3:　　　　　+20.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-12dBm

　　生產(chǎn)計劃/樣品價格