國際整流器公司推出25V同步降壓式轉換器DirectFET MOSFET芯片組，適用于負載點 (POL) 轉換器設計，以及服務器、高端臺式和筆記本電腦應用。

　　新25V芯片組結合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，在SO-8占位面積及0.7mm纖薄設計中實現了高密度、單控制和單同步MOSFET解決方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特點包括：非常低的導通電阻 (RDS(on))、柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) ，以實現高效率和散熱性能，并可實現每相超過25A的工作。

　　IRF6710S擁有0.3Ω的極低柵極電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ，可以大幅減低開關損耗，使這些器件非常適合作為控制MOSFET使用。

　　IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，可以顯著減少導通損耗，而集成的肖特基整流器可以降低二極管導通損耗和反向恢復損耗，使這些新器件非常適合大電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面積，能輕易由原有SyncFET器件轉向使用新器件。