據(jù)外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。

　　根據(jù)美光預(yù)估，今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模，除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅(qū)動器)、記憶卡等應(yīng)用外，也相當(dāng)看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

　　為降低生產(chǎn)成本，強(qiáng)化競爭力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電子則預(yù)計，明年下半年制程技術(shù)將由42納米推進(jìn)至30納米時代。

　　Toshiba與SanDisk陣營同樣預(yù)計，明年下半年由43納米提升至30納米時代制程技術(shù)；Hynix與Numonyx陣營則將于明年上半年由48那么提升到41納米制程技術(shù)。