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        采用RF芯片組的下一代RFID閱讀器(06-100)

        —— 采用RF芯片組的下一代RFID閱讀器
        作者: 時間:2008-04-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          UHF 1W 閱讀器的RF部分通常包含大量的不同半導(dǎo)體制造工藝的RF元件。本文討論下一代(射頻識別)閱讀器如何采用新的集成元件來簡化閱讀器的設(shè)計。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/81270.htm

          美國的閱讀器具有+30dBm最大輸出功率;歐洲的閱讀器最大輸出為+27dBm;日本的閱讀器最大輸出功率為+30dBm。當(dāng)今在美國的大多數(shù)1W閱讀器是為低密度用戶設(shè)計的,其發(fā)射和帶外要求是由FCC確定。對于美國和日本的閱讀器可以采用飽和功率放大器(PA),可使PAE(功率附加效率)在較高的50%量級。對于歐洲閱讀器,功率放大器必須工作在線性區(qū),這可使PAE降低到30%左右。

          RFID閱讀器的頻率方案示于表1。

          為了減少RFID閱讀器RF部分的尺寸,必須增加每個元件的功能。圖1示出RFID閱讀器的典型框圖,并示出集成元件到芯片組的一種可能的方法。


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