聯(lián)合式電路保護有助于防止損壞DVB網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(06-100)
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在電壓超過器件“轉(zhuǎn)折”所需的擊穿電壓時，將導(dǎo)致一個低阻抗路徑的形成，從而有效地對過電壓狀況進行短路。器件將在流經(jīng)它的電流降低到其保持額定值以下前保持在這種低阻抗狀態(tài)下。在過電壓事件發(fā)生后，器件將恢復(fù)成高阻值狀態(tài)，實現(xiàn)正常的系統(tǒng)運行。
TSPD的設(shè)計和運行
TSPD屬于雙向芯片器件。這種器件的4個對稱分層如圖7所示。在此“芯片”的橫截面圖上，其布置方式可以簡化成對如圖8和圖9所 示的2個晶體管和一個P型電阻器的描述。在正常運行中，電壓施加到兩個接線端的兩端。
隨著從正極至負極之間的電壓增加，PNP晶體管中發(fā)生的雪崩擊穿讓電流能夠通過。不斷增加的雪崩電流從正極通過PNP晶體管流動，隨后通過P電阻器流到負極。P電阻器兩端的電壓對NPN晶體管施加讓其導(dǎo)通的偏壓。在NPN晶體管施加偏壓而導(dǎo)通后，PNP晶體管將迅速切換成導(dǎo)通狀態(tài)，導(dǎo)致器件出現(xiàn)“轉(zhuǎn)折”現(xiàn)象。由于PNP晶體管的集電極電流驅(qū)動著NPN晶體管的基極，以及與此類似的NPN晶體管的集電極電流驅(qū)動著PNP晶體管的基極，該器件處于閂鎖狀態(tài)下。在運行過程中，在電壓超過規(guī)定的擊穿點時，該器件“轉(zhuǎn)折”成一個低阻抗的路徑，有效地對過電流狀態(tài)進行短路。在流經(jīng)器件的電流降低到規(guī)定保持電流以下之前，此器件均保持在這種低阻抗狀態(tài)下。在過電壓事件過去后，器件將復(fù)位至高阻抗狀態(tài)，從而有可能恢復(fù)正常的系統(tǒng)運行。
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