PRAM內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫入數(shù)據(jù)速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。

三星電子、IBM、奇夢達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進行PRAM存儲產(chǎn)品的研發(fā)。

全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡單許多，三星公司于去年開發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預計最早可在2008年實現(xiàn)量產(chǎn)。

此外，IBM與多家內(nèi)存廠商合作，共同開發(fā)出一種新的PRAM產(chǎn)品，其運算速度達到了普通閃存的500倍，而且耗電量減半。這于便攜式產(chǎn)品存儲來說意義重大，因為用戶不必再為自己的電池續(xù)航能力擔憂。

IBM表示，目前此技術(shù)還停留在原形開發(fā)階段，有望在2015年真正實現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)、用于消費類產(chǎn)品領(lǐng)域。