美國(guó)英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過(guò)渡。計(jì)劃2008年上半年面向客戶供應(yīng)樣品。該公司的閃存主要面向手機(jī)及數(shù)字家電等產(chǎn)品。該公司表示，生產(chǎn)工藝向65nm過(guò)渡將有利于提高性價(jià)比。 

英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。