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        飛兆半導(dǎo)體推出3G射頻功率放大器

        作者:eaw 時(shí)間:2005-05-11 來源:eaw 收藏

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/5889.htm


        半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出PowerEdge™雙頻帶(WCDMA/ UMTS) RF功率放大器模塊 (PAM),可將效率 (PAE) 提高至42%,大大超越同類型產(chǎn)品。半導(dǎo)體的RMPA2265是第一個(gè)3x3 mm LCC 封裝,可于1850-1910 MHz 和1920-1980 MHz兩個(gè)頻帶工作的3G 射頻放大器模塊,其面積較4x4 mm封裝縮小約44%。RMPA2265可滿足當(dāng)今3G移動(dòng)電話、PDA和無線PC數(shù)據(jù)卡等產(chǎn)品設(shè)計(jì)對(duì)射頻功放 高效率、靈活的頻率特性和更小尺寸的要求。RMPA2265還合乎新興的高速下行鏈路分組接入 (HSDPA) 標(biāo)準(zhǔn)。

        半導(dǎo)體RF功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Russ Wagner稱:“飛兆半導(dǎo)體的PowerEdge雙頻帶功率放大器模塊可讓OEM廠商設(shè)計(jì)更新的產(chǎn)品,為客戶提供更多的頻帶選擇,并可大大擴(kuò)展覆蓋范圍。鑒于手機(jī)的功能不斷聚合,而且需要更高的效率,RMPA2265可在業(yè)界最小的封裝內(nèi)提供多項(xiàng)優(yōu)異特性,包括減少線路板空間需求、延長通話時(shí)間及增加雙頻帶靈活性?!?/p>

        RMPA2265的卓越線性和高功率增加效率是通過飛兆半導(dǎo)體專有的InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) 技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。該器件帶有可選的高/低功率模式,用于進(jìn)一步優(yōu)化電流消耗。這種兩階功率放大器可在內(nèi)部將輸入和輸出阻抗匹配至50歐姆,從而減少外部器件數(shù)目,簡化設(shè)計(jì)要求。

        RMPA2265是無鉛器件,能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B標(biāo)準(zhǔn)要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。

        價(jià)格 (訂購10,000個(gè)):  每個(gè)0.98美元
        供貨:現(xiàn)貨
        交貨期: 收到訂單后6至8周內(nèi)



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