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        安森美半導體過壓保護IC用于便攜充電

        作者:eaw 時間:2005-04-28 來源:eaw 收藏

        半導體推出的NCP346過壓保護電路,采用強化BiCMOS工藝制造,可在少于1ms內(nèi)關(guān)斷一系列PFET且可承受高達30V的過壓瞬變(或25V穩(wěn)態(tài)電壓)。此器件的檢測臨界為4.45V 或5.5V,具有優(yōu)良的電壓能力且關(guān)斷速度比標準CMOS監(jiān)測電路更快,適用于手機、數(shù)字相機、便攜計算機、PDA和便攜式CD播放機。  www.onsemi.com


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