最后，我用R&S RS H 400-1 H場(chǎng)(H-field)探針(圖8)來(lái)量測(cè)GaN組件附近的近場(chǎng)和通過(guò)負(fù)載電阻器的高頻電流(圖9)。

　　圖8使用R&S RS h400-1 H場(chǎng)探針測(cè)量接近GaN開(kāi)關(guān)裝置近場(chǎng)輻射。

　　圖9 H場(chǎng)探針測(cè)試結(jié)果。黃線是環(huán)境噪聲位準(zhǔn)，紫線是GaN組件附近的測(cè)量，藍(lán)線則是在10奧姆的負(fù)載電阻，輻射終于在約800MHz處逐漸減少。

　　注 意(除了所有寬帶噪聲位準(zhǔn)，峰值出現(xiàn)在約220 MHz)振鈴頻率(標(biāo)示1)，以及在460MHz(標(biāo)示2)的諧振。從過(guò)往的經(jīng)驗(yàn)，我喜歡把諧波位準(zhǔn)降到40dBuV顯示行(Display Line)，也就是上面幾張屏幕截圖中的綠線。兩個(gè)共振都相當(dāng)接近，并因而導(dǎo)致“紅旗”。

　　GaN組件價(jià)值顯著

　　GaN 功率開(kāi)關(guān)的價(jià)值很明顯，效率也比MOSFET來(lái)得好。雖然GaN技術(shù)已問(wèn)世，但我只看到少部分?jǐn)?shù)據(jù)談?wù)撨@些皮秒開(kāi)關(guān)裝置如何影響產(chǎn)品EMI的發(fā)生。底下我 列出了一些參考，以及在使用GaN組件時(shí)，會(huì)“掃大家興”的部分，但我相信有更多研究需要去完成EMI會(huì)發(fā)生的后果，至于EMI工程師與顧問(wèn)在未來(lái)幾年也 將可望采用GaN組件。