從圖5可看出，當(dāng)信號(hào)電流為20 pA時(shí)，電路輸出差分電壓為90 mV，根據(jù)噪聲電壓的估算值，最小信號(hào)的信噪比SNR=15。

　　4.2測(cè)試結(jié)果

　　采用CSMC公司的0.5μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝庫(kù)對(duì)電路進(jìn)行流片，表2為仿真結(jié)果和實(shí)際測(cè)試結(jié)果比較(Cf=20 fF，C1=150 fF，C2=18 fF信號(hào)輸入20~300 pA，積分時(shí)間20μs)。

　　表2仿真結(jié)果和實(shí)際測(cè)試結(jié)果比較

　　從表2可以看出，實(shí)測(cè)結(jié)果略小于仿真結(jié)果，當(dāng)光信號(hào)為20 pA時(shí)，測(cè)得電路噪聲電壓為8 mV，則SNR=10.8。

　　5結(jié)論

　　本文設(shè)計(jì)了一種高增益低噪聲的探測(cè)器讀出電路，采用CTIA與CDS電路相結(jié)合，通過(guò)對(duì)CTIA電路中積分電容的改進(jìn)，使電路在寬范圍內(nèi)對(duì)微弱信號(hào)讀出，并采用開(kāi)關(guān)控制和CDS電路來(lái)降低噪聲，使電路信噪比達(dá)到10，該電路對(duì)航空航天領(lǐng)域微光探測(cè)系統(tǒng)讀出電路的設(shè)計(jì)具有重要意義。