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        意法半導體(ST)的新650V超結MOSFET提升能效和安全系數(shù)

        作者: 時間:2014-12-02 來源:電子產品世界 收藏

          (STMicroelectronics,簡稱ST)的最新超結 (super-junction) 功率滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求,同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/266258.htm

          MDmesh M2系列產品擁有最新最先進的超結晶體管技術,取得了比上一代產品更低的導通電阻 (RDS(ON)),以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外,這些產品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation),讓開發(fā)人員能夠設計出更高效的電源。

          同時,與市場現(xiàn)有產品的600V典型擊穿電壓相比,的新產品將該參數(shù)提高至650V,確保新產品具有更高的安全系數(shù),讓設備廠商能夠設計更穩(wěn)健且更可靠的電源系統(tǒng)。

          新系列產品還增加了一款采用表面貼裝封裝的 5x6 HV高壓產品,雖然封裝表面積和厚度都很小,但熱效率和電流處理能力俱佳。計劃于2015年第1季度投入量產的 5x6 HV 封裝可有效提高功率容量,助力設備廠商研制尺寸更小的下一代產品,且在實現(xiàn)輸出功率變得更高的同時,不會影響其工作可靠性。

          MDmesh M2 的目標應用包括筆記本電腦、打印機和游戲機等設備的外接電源,以及電視機和音響系統(tǒng)的內部電源。3W-25W單排以及大功率多排LED燈引擎驅動器也將受益于新產品的高熱效和高性能。 5x6 HV封裝是太陽能微逆變器的理想選擇,為尺寸精巧的家用和商用逆變器模塊帶來MDmesh M2產品的能效優(yōu)勢。

          22 MDmesh M2 650V 現(xiàn)已上市,最大額定電流范圍為4A至11A,最低導通電阻RDS(ON) 降至0.360?。STD6N65M2采用D2PAK封裝。

          欲了解更多詳情,請訪問:www.st.com/mdmeshm2

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