全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。

　　NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的355億單位成長成長5.7倍至2,036億單位，預(yù)料將掀起價(jià)格戰(zhàn)。

　　據(jù)南韓聯(lián)合通訊社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，三星斥資70億美元在大陸西安設(shè)置的V-NANDFlash廠已在5月開始投產(chǎn)，至于在后追趕的東芝(Toshiba)最近也宣布了60億美元V-NANDFlash的擴(kuò)廠計(jì)劃。

　　以NANDflash市占率來看，三星以37.4%居全球之首，東芝、美光與海力士(SKHynix)依序分別為31.9%、20.1%與10.6%。