由于差分信號(hào)分為奇模方式和耦模方式，對(duì)于差分信號(hào)我們要關(guān)心的S 參數(shù)還有SDD …… DIFFERENTIAL-TO-DIFFERENTIAL PARAMETERSSCC …… COMMON-TO-COMMON PARAMETERS在奇模和耦模的形式下S 參數(shù)的比較。由于插入損耗大那么回波損耗就小。為了使問題簡(jiǎn)單話，在此之比較SDD21 和SCC21,即只比較奇模和偶模的插入損耗。在這將完整參考平面與參考平面GND1 開槽兩種情況進(jìn)行SDD21 和SCC21 的S 參數(shù)曲線進(jìn)行比較。如圖11 所示：

圖11 完整參考平面與參考平面GND1 開槽-奇模和耦模的S 參數(shù)比較圖

如圖11 所示，開槽對(duì)奇模影響很小，對(duì)耦模影響很大。在奇模情況下的兩個(gè)導(dǎo)體之間存在一個(gè)虛擬的地。當(dāng)奇模信號(hào)的回路不理想時(shí)，這個(gè)虛擬的地就可以給信號(hào)提供一定 的參考，繼而可以降低因?yàn)榉抢硐牖芈范斐傻膶?duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。而耦模分量沒有虛擬的地參考回路，在跨越開槽區(qū)域時(shí)需繞路而行，增加了耦模分量的回流路徑 從而造成耦模分量信號(hào)質(zhì)量的劣化。

然后進(jìn)行銅箔參考平面的場(chǎng)定義。

銅箔GND1 參考平面GND1 Polt fields 為Mag_E,結(jié)果如圖12 所示：

圖12 GND1 平面開槽情況下GND1 的電場(chǎng)分布圖

銅箔GND2 參考平面 Polt fields 為Mag_E,結(jié)果如圖13 所示：

圖13 GND1 平面開槽情況下GND2 的電場(chǎng)分布圖

將圖6、圖7和圖12、13比較，在GND1開槽后，平面GND1和平面GND2的電場(chǎng)能量分布均有較大的差別。電場(chǎng)能量不再完全集中在信號(hào)下方而是在整個(gè)平面上高低不同的電場(chǎng)能量都，但是在信號(hào)正下方電場(chǎng)能量要比整個(gè)平面其它區(qū)域要強(qiáng)。

5、繼承以上條件，將開槽改為在參考平面GND2上，參考平面GND1保持完整，其三維幾何圖形如圖11:

圖14 參考GND2 平面開槽的三維幾何圖形

進(jìn)行分析計(jì)算。結(jié)果如下為：

圖15 S 參數(shù)

如圖8 可以查出：T1 的S11 為0.33514,S21 為0.90913;T2 的S11 為0.048959,S21 為0.90467.

與圖相比T1 的S11 為0.36357,S21 為0.79713;T2 的S11 為0.382,S21 為0.78853.GND2開槽比GND1 開槽對(duì)信號(hào)質(zhì)量影響要小。由于GND2 與SIG 的介質(zhì)較厚，相對(duì)的電場(chǎng)能量更多的集中在GND1.

圖16 參考平面GND2 開槽——S 參數(shù)曲線圖

對(duì)圖10 和圖16 進(jìn)行插入損耗的S 參數(shù)和回波損耗的S 參數(shù)比較如圖17.

圖17 參考平面GND1 開槽與參考平面GND2 開槽S 參數(shù)比較圖

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