6月19日，國(guó)家發(fā)改委文件批復(fù)，同意中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體技術(shù)工程化研究平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目的可行性研究報(bào)告，批準(zhǔn)項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)為廊坊市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科技谷園區(qū)，可進(jìn)入項(xiàng)目設(shè)計(jì)和實(shí)施階段，三年內(nèi)完成建設(shè)。

　　半導(dǎo)體技術(shù)工程化研究平臺(tái)項(xiàng)目總建筑面積24343平方米，總投資13540萬(wàn)元，其中國(guó)家安排投資6600萬(wàn)元。建設(shè)內(nèi)容包括半導(dǎo)體材料工程化平臺(tái)、光電子器件工程化平臺(tái)、半導(dǎo)體集成技術(shù)公共研發(fā)平臺(tái)、半導(dǎo)體芯片及系統(tǒng)工程化平臺(tái)等試驗(yàn)和研究平臺(tái)及相關(guān)輔助設(shè)施的建設(shè)。

　　半導(dǎo)體技術(shù)工程化研究平臺(tái)建成后，將為國(guó)家提供急需的高性能半導(dǎo)體材料、光電器件、光電系統(tǒng)等先進(jìn)工程化技術(shù)，推動(dòng)我國(guó)在半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)材料、半導(dǎo)體傳感器、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體照明、高頻高速器件和電路、激光器的系統(tǒng)工程應(yīng)用、半導(dǎo)體自旋電子技術(shù)等方面的發(fā)展。同時(shí)，該平臺(tái)也將加速相關(guān)技術(shù)的實(shí)用化、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，為研發(fā)中試成果在廊坊轉(zhuǎn)化落地提供可靠的技術(shù)保障。