宜普電源轉(zhuǎn)換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽通過采用氮化鎵(eGaN®)功率晶體管設計出超小型功率逆變器以勝出該挑戰(zhàn)賽。

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽的工程師創(chuàng)建更小體積的功率逆變器并贏取100萬美元獎金。由于氮化鎵場效應晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開關速度及小尺寸等優(yōu)勢，因此它是功率逆變器的理想晶體管。

　　「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽的主旨是什么?

　　「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽旨在鼓勵工程師給太陽能功率系統(tǒng)開發(fā)出更細小及更廉價的功率逆變器。 逆變器是該系統(tǒng)的一部分，可從太陽能電池把直流電轉(zhuǎn)換成可與目前電力網(wǎng)基礎設施兼容的交流電。減低逆變器的成本對太陽能系統(tǒng)的總成本的影響很大。

　　為何使用氮化鎵(eGaN)功率晶體管?

　　- 高效率/低損耗

　　與使用MOSFET器件的解決方案相比， 氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)的開關性能可實現(xiàn)更高開關頻率，從而可縮小儲存能量元件的體積，這些元件的體積支配逆變器的尺寸。

　　- 超快開關速度

　　由于采用橫向結構的氮化鎵場效應晶體管的尺寸細小，因此可實現(xiàn)超低電容及零QRR值，同時該器件使用LGA封裝，可實現(xiàn)低電感。這些特點使得氮化鎵器件可實現(xiàn)前所未有的開關性能 -與MOSFET器件的開關速度相比大約增快一至兩倍。 開關速度是提高開關頻率的主要因素。

　　- 小尺寸

　　氮化鎵(GaN)是一種寬頻隙器件，與傳統(tǒng)MOSFET技術相比，具優(yōu)越的傳導性能，使得器件在相同的導通電阻下(RDS(on))，器件的尺寸可以更細小并具有更低電容。

　　對參賽者的支持

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司全力支持這個由谷歌及美國電氣電子工程師學會(IEEE)聯(lián)合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽。如果您的團隊有興趣探討利用宜普的氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)設計出具高功率密度的逆變器并參加是次比賽，請瀏覽網(wǎng)頁http://epc-co.com/epc/cn/LittleBoxChallenge.aspx?utm_source=LBC&utm_medium=PR&utm_content=LBC_Landing-Page&utm_campaign=LBCPR。