Silego公司推出1.0 x1.6 mm STDFN封裝而成的電阻為22.5mΩ ，電流為2.5A的負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品SLG59M1563V。

　　2014年Silego公司于美國加州圣克拉拉推出GFET3負(fù)載開關(guān)系列一款新成員，命名為SLG59M1563V，導(dǎo)通電阻為22.5mΩ、支持2.5A持續(xù)電流、逆轉(zhuǎn)電流阻斷且以1.0 x1.6 mm STDFN封裝。該款負(fù)載開關(guān)同時(shí)具有如電源信號(hào)良好輸出、集成放電以及過溫保護(hù)等高級(jí)功能。

　　“逆轉(zhuǎn)電流阻斷，針對Silego負(fù)載開關(guān)來說是一項(xiàng)高級(jí)功能，它可以在器件反偏時(shí)移除電流通路。”Silego市場部總監(jiān)Jay Li提到，他還提到，“這項(xiàng)技術(shù)對于應(yīng)用于電池電源類的負(fù)載開關(guān)非常有用，因?yàn)榇碎_關(guān)必須要保護(hù)系統(tǒng)防止電流方向偏跑。如果設(shè)計(jì)人員想要利用離散型部件解決該問題就必須要在電板上放置兩個(gè)電源MOSFET管，而每個(gè)MOSFET管都會(huì)比Silego的器件大。該器件可以較好的應(yīng)用在高性能手持系統(tǒng)中。”

負(fù)載開關(guān)的作用是切換電源。Silego負(fù)載開關(guān)可控制線性爬坡啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流同時(shí)也可減少系統(tǒng)在關(guān)閉或休眠模式時(shí)的漏電。該器件也可取代較大的電源MOSFET管以及相關(guān)的控制電路，而成本通常相同導(dǎo)通電阻更低。Silego所有負(fù)載開關(guān)均以完全密封形式塑封，均通過RoHS 6/6 認(rèn)證并支持MSL 1(無濕度限制)。

　　目標(biāo)應(yīng)用包括:

　　o 智能手機(jī)電源開關(guān)

　　o 平板電源開關(guān)

　　o 筆記本電源開關(guān)

　　如欲了解有關(guān) SLG59M1563V的更多詳情，敬請?jiān)L問：datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121177。