傳統(tǒng)的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會(huì)迅速下降。還有一種方法是對(duì)熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻，但是很難實(shí)現(xiàn)。此外，市場(chǎng)上也存在專(zhuān)門(mén)的高溫芯片，但是尺寸過(guò)大(最小尺寸也達(dá)1微米)。

　　IMS開(kāi)發(fā)的微芯片尺寸僅有0.35微米，遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的高溫芯片，且依然保持著應(yīng)有的功能。

　　為開(kāi)發(fā)出耐熱微芯片，研究人員采用了一種特殊的高溫硅絕緣體(SOI)CMOS工藝，通過(guò)絕緣層來(lái)阻止影響芯片運(yùn)作的漏電電流的產(chǎn)生。此外，研究人員還使用了金屬鎢，其溫度敏感性低于常用的鋁，從而延長(zhǎng)了高溫芯片的工作壽命。

　　除了用于地?zé)崮堋⑻烊粴饣蚴蜕a(chǎn)外，該微芯片還能用于航空業(yè)，例如放置于盡可能靠近渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)的位置，記錄其運(yùn)行狀態(tài)，確保其更有效、更可靠地運(yùn)行。